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GT20J321 Datasheet

  • GT20J321

  • High Power Switching Applications Fast Switching Application...

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  • TOSHIBA

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GT20J321
TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Chanenel IGBT
GT20J321
High Power Switching Applications
Fast Switching Applications
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
The 4th generation
Enhancement-mode
Fast switching (FS): Operating frequency up to 50 kHz (reference)
High speed: t
f
= 0.04 碌s (typ.)
Low switching loss
鈥?/div>
鈥?/div>
: E
on
= 0.40 mJ (typ.)
: E
off
= 0.43 mJ (typ.)
Low saturation voltage: V
CE (sat)
= 2.0 V (typ.)
FRD included between emitter and collector
Unit: mm
Maximum Ratings
(Ta = 25擄C)
Characteristics
Collector-emitter voltage
Gate-emitter voltage
Collector current
Emitter-collector forward
current
Collector power dissipation
(Tc = 25擄C)
Junction temperature
Storage temperature range
DC
1 ms
DC
1 ms
Symbol
V
CES
V
GES
I
C
I
CP
I
F
I
FM
P
C
T
j
T
stg
Rating
600
鹵20
20
40
20
40
45
150
鈭?5
to 150
Unit
V
V
A
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
鈥?/div>
鈥?/div>
2-10R1C
A
W
擄C
擄C
Weight: 1.7 g (typ.)
Thermal Characteristics
Characteristics
Thermal resistance (IGBT)
Thermal resistance (diode)
Symbol
R
th (j-c)
R
th (j-c)
Max
2.78
4.23
Unit
擄C/W
擄C/W
Equivalent Circuit
Collector
Gate
Emitter
1
2002-04-08

GT20J321 產品屬性

  • 絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）

  • 20A

  • 2.45V

  • 45W

  • 600V

  • TO-220NIS

  • 3

  • 40ns

  • 40ns

  • 45W

  • 45W

  • TO-220NIS

  • ?頻道

  • 20A

  • 2.78°C/W

  • 600V

  • 40A

  • 150°C

  • 通孔安裝

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    SPECIFICATIONS FOR LCD MODULE
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    JHE [Jewel...
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    SPECIFICATIONS FOR LCD MODULE
    JHE
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    SPECIFICATIONS FOR LCD MODULE
    JHE [Jewel...
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    SPECIFICATIONS FOR LCD MODULE
    JHE
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    SPECIFICATIONS FOR LCD MODULE
    JHE [Jewel...
  • 英文版
    8-BIT LVTTL-TO-GTLP ADJUSTABLE-EDGE-RATE REGISTERED TRANSCEI...
    TI
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    8-BIT LVTTL-TO-GTLP ADJUSTABLE-EDGE-RATE REGISTERED TRANSCEI...
    TI [Texas ...
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    N CHANNEL TYPE (HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION)
    TOSHIBA
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    N CHANNEL TYPE (HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION)
    TOSHIBA [T...
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    P CHANNEL TYPE (HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)
    TOSHIBA
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    P CHANNEL TYPE (HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)
    TOSHIBA [T...
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    N CHANNEL IGBT (STROBE FLASH APPLICATIONS)
    TOSHIBA
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    N CHANNEL IGBT (STROBE FLASH APPLICATIONS)
    TOSHIBA [T...
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    N CHANNEL IGBT (STROBE FLASH APPLICATIONS)
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    N CHANNEL IGBT (STROBE FLASH APPLICATIONS)
    TOSHIBA [T...
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    TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel ...
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    TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel ...
    TOSHIBA [T...
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    N CHANNEL (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)
    TOSHIBA
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    N CHANNEL (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)
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