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GT15Q311 Datasheet

  • GT15Q311

  • TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel ...

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GT15Q311
TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
GT15Q311
High Power Switching Applications
Motor Control Applications
Unit: mm
路
路
路
路
路
The 3rd generation
Enhancement-mode
High speed: t
f
= 0.32 碌s (max)
Low saturation voltage: V
CE (sat)
= 2.7 V (max)
FRD included between emitter and collector
Maximum Ratings
(Ta = 25擄C)
Characteristics
Collector-emitter voltage
Gate-emitter voltage
Collector current
Emitter-collector
forward current
DC
1 ms
DC
1 ms
Symbol
V
CES
V
GES
I
C
I
CP
I
F
I
FM
P
C
T
j
T
stg
Rating
1200
鹵20
15
30
15
30
160
150
鈭?5
to 150
Unit
V
V
A
JEDEC
A
鈥?/div>
鈥?/div>
2-16H1A
JEITA
TOSHIBA
Collector power dissipation
(Tc = 25擄C)
Junction temperature
Storage temperature range
W
擄C
擄C
Weight: 3.65 g (typ.)
Equivalent Circuit
Collector
Gate
Emitter
1
2002-10-29

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