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GT15M321 Datasheet

  • GT15M321

  • TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL ...

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  • TOSHIBA

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GT15M321
TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT
GT15M321
HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS
l
The 4th Generation
l
FRD Included Between Emitter and Collector
l
Enhancement鈭扢ode
l
High Speed
l
Low Saturation Voltage
: t
f
= 0.20 碌s (TYP.) (I
C
=
15
A)
: V
CE (sat)
=
1.8V
(TYP.)
(I
C
=
15A)
Unit: mm
MAXIMUM RATINGS
(Ta=25擄C)
CHARACTERISTIC
Collector鈭扙mitter Voltage
Gate-Emitter Voltage
Collector Current
Emitter鈭扖ollector Foward
Current
Collector Power Dissipation
(Tc = 25擄C)
Junction Temperature
Storage Temperature Range
DC
1ms
DC
1ms
SYMBOL
V
CES
V
GES
I
C
I
CP
I
F
I
FM
P
C
T
j
T
stg
RATING
900
鹵25
15
30
15
120
55
150
鈭?5~150
UNIT
V
V
A
A
W
擄C
擄C
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
Weight: 5.8 g
鈥?/div>
鈥?/div>
2鈭?6F1A
EQUIVALENT CIRCUIT
1
2002-02-06

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