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GT15J331 Datasheet

  • GT15J331

  • High Power Switching Applications Motor Control Applications

  • 7頁(yè)

  • TOSHIBA

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GT15J331
TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
GT15J331
High Power Switching Applications
Motor Control Applications
Unit: mm
路
路
路
路
路
The 4th Generation
Enhancement-Mode
High Speed: t
f
= 0.10 碌s (typ.)
Low Saturation Voltage: V
CE (sat)
= 1.75 V (typ.)
FRD included between Emitter and collector.
Maximum Ratings
(Ta
=
25擄C)
Characteristic
Collector-emitter voltage
Gate-emitter voltage
Collector current
Emitter-collector forward
current
Collector power dissipation
(Tc
=
25擄C)
Junction temperature
Storage temperature range
DC
1 ms
DC
1 ms
Symbol
V
CES
V
GES
I
C
I
CP
I
F
I
FM
P
C
T
j
T
stg
Rating
600
鹵20
15
30
15
30
70
150
-55~150
Unit
V
V
A
A
W
W
擄C
擄C
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
Weight: 1.5 g
鈥?/div>
鈥?/div>
2-10S1C
Equivalent Circuit
Collector
Gate
Emitter
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
Weight: 1.4 g
鈥?/div>
鈥?/div>
2-10S2C
1
2002-01-18

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    HRS
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