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GT15J321 Datasheet

  • GT15J321

  • High Power Switching Applications Fast Switching Application...

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  • TOSHIBA

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GT15J321
TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
GT15J321
High Power Switching Applications
Fast Switching Applications
Unit: mm
鈥?/div>
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鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
The 4th generation
FS (fast switching)
Enhancement-mode
High speed: t
f
= 0.03 碌s (typ.)
Low saturation Voltage: V
CE (sat)
= 1.90 V (typ.)
FRD included between emitter and collector.
Maximum Ratings
(Ta
=
25擄C)
Characteristics
Collector-emitter voltage
Gate-emitter voltage
Collector current
Emitter-collector forward
current
Collector power dissipation
(Tc
=
25擄C)
Junction temperature
Storage temperature range
DC
1 ms
DC
1 ms
Symbol
V
CES
V
GES
I
C
I
CP
I
F
I
FM
P
C
T
j
T
stg
Rating
600
鹵20
15
30
15
30
30
150
鈭?5~150
Unit
V
V
A
JEDEC
A
W
擄C
擄C
鈥?/div>
鈥?/div>
2-10R1C
JEITA
TOSHIBA
Weight: 1.7 g
Equivalent Circuit
Collector
Gate
Emitter
1
2002-01-18

GT15J321 產品屬性

  • 絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)

  • 15A

  • 2.45V

  • 30W

  • 600V

  • TO-220NIS

  • 3

  • 40ns

  • 30ns

  • 150ns

  • 30W

  • 30W

  • TO-220NIS

  • ?頻道

  • 15A

  • 4.16°C/W

  • 600V

  • 30A

  • 150°C

  • 通孔安裝

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