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GT15J121 Datasheet

  • GT15J121

  • Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Chanenel IGBT

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  • TOSHIBA

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TOSHIBA
Preliminary
TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Chanenel IGBT
GT15J121
GT15J121
High Power Switching Applications
Fast Switching Applications
鈼忋€€
鈼忋€€
鈼忋€€
The 4th generation
Enhancement-mode
Ultra Fast Switching(UFS :Operating frequency up to 150kHz(Reference)
鈼忋€€
:t
r
=0.03渭s(typ.)
High speed
:t
f
=0.08渭s(typ.)
鈼忋€€
:E
on
=0.23mJ(typ.)
Low switching loss
:E
off
=0.18mJ(typ.)
Maximum Ratings (Ta=25鈩?
Characteristic
Collector-emitter voltage
Gate-emitter voltage
Collector current
Collector power dissipation
(Tc=25鈩?
Junction temperature
Storage temperature range
DC
1ms
Symbol
Ratings
Unit
V
CES
V
GES
I
C
I
CP
P
C
T
j
T
stg
600
鹵20
15
45
35
150
-55錕?frac12;錕?50
V
V
A
W
鈩?/div>
鈩?/div>
2001-7-
1/2

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