GT10Q101 Datasheet

IC型號：
GT10Q101
PDF描述：
High Power Switching Applications
文件大小：
299.80KB
PDF頁數(shù)：
6頁
芯片廠家：
TOSHIBA

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GT10Q101

Preliminary

TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT

GT10Q101

High Power Switching Applications

Unit: mm

鈥?/div>

The 3

Generation

Enhancement-Mode

High Speed: t

= 0.32 碌s (max)

Low Saturation Voltage: V

CE (sat)

= 2.7 V (max)

Maximum Ratings

(Ta

25擄C)

Characteristic

Collector-emitter voltage

Gate-emitter voltage

Collector current

Collector power dissipation

(Tc

25擄C)

Junction temperature

Storage temperature range

1 ms

Symbol

CES

GES

stg

Rating

1200

鹵20

140

150

鈭?5~150

Unit

擄C

JEDEC

JEITA

TOSHIBA

鈥?/div>

2-16C1C

Weight: 4.6 g (typ.)

2002-01-23

晶體管類型:
絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）
集電極直流電流:
10A
飽和電壓, Vce sat 最大:
2.7V
功耗, Pd:
140W
電壓, Vceo:
1.2kV
封裝類型:
TO-3P
針腳數(shù):
3
上升時間:
70ns
功率, Pd:
140W
功耗:
140W
封裝類型:
TO-3P (N)
晶體管極性:
?頻道
最大功耗:
140W
最大連續(xù)電流, Ic:
10A
電壓, Vces:
1.2kV
電流, Icm 脈沖:
20A
表面安裝器件:
通孔安裝
針腳格式:
GCE

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型號

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描述

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