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GT10J321 Datasheet

  • GT10J321

  • TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Chanenel...

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  • TOSHIBA

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TOSHIBA
Preliminary
TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Chanenel IGBT
GT10J321
GT10J321
High Power Switching Applications
Fast Switching Applications
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鈼忋€€
鈼忋€€
鈼忋€€
The 4th generation
Enhancement-mode
Fast Switching(FS)
:Operating frequency up to 150kHz(Reference)
鈼忋€€
:t
f
=0.03渭s(typ.)
High speed
鈼忋€€
Low switching loss :E
on
=0.26mJ(typ.)
:E
off
=0.18mJ(typ.)
Low saturation voltage :V
CE(sat)
=2.0V(typ.)
FRD included between emitter and collector
Maximum Ratings (Ta=25鈩?
Characteristic
Collector-emitter voltage
Gate-emitter voltage
Collector current
Emitter-collector
forward current
Collector power dissipation
(Tc=25鈩?
Junction temperature
Storage temperature range
DC
1ms
DC
1ms
Symbol
Ratings
Unit
V
CES
V
GES
I
C
I
CP
I
F
I
FM
P
C
T
j
T
stg
600
鹵20
10
20
10
20
29
150
-55錕?frac12;錕?50
V
V
A
A
W
鈩?/div>
鈩?/div>
2001-6-
1/6

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    Silicon N Channel IGBT Strobe Flash Applications
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    HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS MOTOR CONTROL APPLICATIONS
    Toshiba
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    N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICAT...
    TOSHIBA
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    HRS
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    TOSHIBA
  • 英文版
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    Vishay Intertec...
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