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GM1898 Datasheet

  • GM1898

  • NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

  • 307.59KB

  • 2頁(yè)

  • GTM

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ISSUED DATE :2004/12/03
REVISED DATE :
GM1898
Description
NP N E PITAX I AL PLANAR T RANSI STOR
T
he GM1898 is designed for switching applications.
Package Dimensions
SOT-89
REF.
A
B
C
D
E
F
Millimeter
Min.
Max.
4.4
4.6
4.05
4.25
1.50
1.70
1.30
1.50
2.40
2.60
0.89
1.20
REF.
G
H
I
J
K
L
M
Millimeter
Min.
Max.
3.00 REF.
1.50 REF.
0.40
0.52
1.40
1.60
0.35
0.41
5 q TYP.
0.70 REF.
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25 :
Parameter
Junction Temperature
Storage Temperature
Collector to Base Voltage
Collector to Emitter Voltage
Emitter to Base Voltage
Collector Current
Total Power Dissipation
Symbol
Tj
Tstg
VCBO
VCEO
VEBO
IC
IC
P
(Single pulse Pw=20ms)
PD
Ratings
+150
-55 ~ +150
100
80
5.0
1
2
500
V
V
V
A
A
mW
Unit
Characteristics
Symbol
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
VCE(sat)
h
FE
f
T
Cob
at Ta = 25 :
Min.
100
80
5
-
-
-
82
-
Typ.
-
-
-
-
-
-
-
100
25
Max.
-
-
-
1
1
400
390
-
-
MHZ
pF
Unit
V
V
V
uA
uA
mV
IC=50uA
IC=1mA
IE=50uA
VCB=80V
VEB=4V
IC=500mA, IB=20mA
VCE=3V, IC=500mA
VCE=10V,IC=50mA,f=100MHZ
VCB=10V,IE=0, f=1MHz
Test Conditions
Classification Of h
FE
Rank
h
FE
P
82-180
Q
120-270
R
180-390
GM1898
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