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GM162 Datasheet

  • GM162

  • P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

  • 4頁(yè)

  • GTM

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CORPORATION
GM162
Description
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
ISSUED DATE :2004/11/01
REVISED DATE :
BV
DSS
R
DS(ON)
I
D
-30V
80m
-3.2A
The GM162 provides the designer with the best combination of fast switching, low on-resistance and
cost-effectiveness.
Features
&
Lower on-resistance
Applications
&
Notebook PCs
&Ultra high-speed switching
&Cellular and portable phones
&On-board power supplies
&Li-ion battery Systems
Package Dimensions
SOT-89
REF.
A
B
C
D
E
F
Millimeter
Min.
Max.
4.4
4.6
4.05
4.25
1.50
1.70
1.30
1.50
2.40
2.60
0.89
1.20
REF.
G
H
I
J
K
L
M
Millimeter
Min.
Max.
3.00 REF.
1.50 REF.
0.40
0.52
1.40
1.60
0.35
0.41
5 q TYP.
0.70 REF.
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current
1,2
Power Dissipation
Operating Junction and Storage Temperature Range
Linear Derating Factor
3
Symbol
V
DS
V
GS
Ratings
-30
f 12
-3.2
-2.6
-10
2
-55 ~ +150
0.01
Unit
V
V
A
A
A
W
W/
I
D @Ta=25 :
I
D @Ta=70 :
I
DM
P
D@Ta=25 :
Tj, Tstg
Continuous Drain Current
3
Thermal Data
Parameter
Max.
Symbol
Rthj-amb
Ratings
90
Unit
/W
Thermal Resistance Junction-ambient
3
1/4

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