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GFP75N03 Datasheet

  • GFP75N03

  • TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 75A I(D) | ...

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GFP75N03
N-Channel Enhancement-Mode MOSFET
V
DS
30V
R
DS(ON)
6.5m鈩?/div>
I
D
80A
TO-220AB
0.415 (10.54)
Max.
0.154 (3.91)
Dia.
0.142 (3.60)
0.113 (2.87)
0.102 (2.56)
D
CH
ct
EN ET
R
F
odu
T
EN
Pr
ew
N
G
廬
0.185 (4.70)
0.170 (4.31)
0.055 (1.39)
0.045 (1.14)
D
G
*
0.155 (3.93)
0.134 (3.40)
0.603 (15.32)
0.573 (14.55)
0.635 (16.13)
0.580 (14.73)
0.360 (9.14)
0.330 (8.38)
1.148 (29.16)
1.118 (28.40)
0.104 (2.64)
0.094 (2.39)
S
Features
鈥?Advanced Process Technology
鈥?High Density Cell Design for Ultra Low
On-Resistance
鈥?Specially Designed for Low Voltage DC/DC
Converters
鈥?Fast Switching for High Efficiency
0.410 (10.41)
0.350 (8.89)
G
PIN
D
S
0.160 (4.06)
0.09 (2.28)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
Mechanical Data
Case:
JEDEC TO-220AB molded plastic body
Terminals:
Leads solderable per MIL-STD-750,
Method 2026
High temperature soldering guaranteed:
250擄C/10 seconds, 0.17鈥?(4.3mm) from case
Mounting Torque:
10 in-lbs maximum
Weight:
2.0g
C
0.037 (0.94)
0.026 (0.66)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.205 (5.20)
0.190 (4.83)
0.022 (0.56)
0.014 (0.36)
Dimensions in inches
and (millimeters)
*
May be notched or flat
Maximum Ratings and Thermal Characteristics
(T
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current
(1)
Pulsed Drain Current
Maximum Power Dissipation
T
A
= 25擄C
T
A
= 100擄C
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
stg
T
L
R
胃JC
R
胃JA
= 25擄C unless otherwise noted)
Limit
30
鹵 20
80
240
69.4
27.8
鈥?5 to 150
275
1.8
62.5
Unit
V
A
W
擄C
擄C
擄C/W
擄C/W
Operating Junction and Storage Temperature Range
Lead Temperature (1/8鈥?from case for 5 sec.)
Junction-to-Case Thermal Resistance
Junction-to-Ambient Thermal Resistance
Note:
(1) Maximum DC current limited by the package
5/1/01

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    N-Channel Enhancement-Mode MOSFET
    ETC
  • 英文版
    N-Channel Enhancement-Mode MOSFET
    ETC [ETC]
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 75A I(D) | ...
    ETC

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