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GCQ30A03L Datasheet

  • GCQ30A03L

  • Schottky Barrier Diode

  • 6頁(yè)

  • NIEC

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SBD
T y p e :
GCQ30A03L
Q30A
OUTLINE DRAWING
FEATURES
*Similar to TO-220AB Case
*Dual Diodes 鈥?Cathode Common
*Low Forward Voltage Drop
*High Surge Capability
*Tj=150
擄C
operation
Maximum Ratings
Rating
Repetitive Peak Reverse Voltage
Repetitive Peak Surge Reverse Voltage
Average Rectified Output Current
RMS Forward Current
Surge Forward Current
Operating JunctionTemperature Range
Storage Temperature Range
Mounting torque
Approx Net Weight:
1.9g
Symbol
V
RRM
V
RRSM
I
O
I
F(RMS)
I
FSM
T
jw
T
stg
Ftor
GCQ30A03L
30
35(pulse width
鈮?/div>
1碌s duty
鈮?/div>
1/50)
50 Hz Full Sine Wave
30
Tc=105擄C
Resistive Load
33.3
50Hz Full Sine Wave ,1cycle
250
Non-repetitive
-40 to +150
-40 to +150
recommended torque = 0.5
Unit
V
V
A
A
A
擄C
擄C
N
鈥?/div>
m
Electrical
鈥?/div>
Thermal Characteristics
Characteristics
Peak Reverse Current
Peak Forward Voltage
Thermal Resistance
Symbol
I
RM
Conditions
Min.
-
-
-
Typ. Max.
-
-
-
15
0.49
1.5
Unit
mA
V
擄C
/W
Tj= 25擄C, V
RM
= V
RRM
per arm
Tj= 25擄C, I
FM
= 15 A
V
FM
per arm
Rth(j-c) Junction to Case

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