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GCQ10A04 Datasheet

  • GCQ10A04

  • Schottky Barrier Diode

  • 6頁

  • NIEC

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SBD
T y p e :
GCQ10A04
Q10A
OUTLINE DRAWING
FEATURES
*Similar to TO-220AB Case
*Dual Diodes 鈥?Cathode Common
*Low Forward Voltage Drop
*High Surge Capability
*Tj=150
擄C
operation
Maximum Ratings
Rating
Repetitive Peak Reverse Voltage
Non-repetitive Peak Reverse Voltage
Average Rectified Output Current
RMS Forward Current
Surge Forward Current
Operating JunctionTemperature Range
Storage Temperature Range
Mounting torque
Approx Net Weight:
1.9g
Symbol
V
RRM
V
RSM
I
O
I
F(RMS)
I
FSM
T
jw
T
stg
Ftor
120
10
GCQ10A04
40
45
50 Hz Full Sine Wave
Tc=116擄C
Resistive Load
11.1
50Hz Full Sine Wave ,1cycle
Non-repetitive
-40 to +150
-40 to +150
recommended torque = 0.5
Unit
V
V
A
A
A
擄C
擄C
N
鈥?/div>
m
Electrical
鈥?/div>
Thermal Characteristics
Characteristics
Peak Reverse Current
Peak Forward Voltage
Thermal Resistance
Symbol
I
RM
Conditions
Min.
-
-
-
Typ. Max.
-
-
-
5
0.55
3
Unit
mA
V
擄C
/W
Tj= 25擄C, V
RM
= V
RRM
per arm
Tj= 25擄C, I
FM
= 5 A
V
FM
per arm
Rth(j-c) Junction to Case

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