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GC2307 Datasheet

  • GC2307

  • P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

  • 4頁

  • GTM

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Pb Free Plating Product
CORPORATION
GC2307
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
ISSUED DATE :2005/06/20
REVISED DATE :
BV
DSS
R
DS(ON)
I
D
-16V
60m
-4.0A
The GC2307 provides the designer with the best combination of fast switching, low on-resistance and
cost-effectiveness.
The GC2307 is universally preferred for all commercial-industrial applications and suited for low voltage
applications such as DC/DC converters.
Description
Features
*Simple Drive Requirement
*Fast Switching
Package Dimensions
D
E
S1
TO-92
A
S E A T IN G
PLANE
b1
L
REF.
A
S
1
b
b
1
C
e1
e
b
C
Millimeter
Min.
Max.
4.45
4.7
1.02
-
0.36
0.51
0.36
0.76
0.36
0.51
REF.
D
E
L
e1
e
Millimeter
Min.
Max.
4.44
4.7
3.30
3.81
12.70
-
1.150
1.390
2.42
2.66
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current
3
3
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current
1
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Operating Junction and Storage Temperature Range
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25 :
I
D
@T
A
=70 :
I
DM
P
D
@T
A
=25 :
Tj, Tstg
Symbol
Rthj-a
Ratings
-16
鹵8
-4.0
-3.3
-12
1.38
0.01
-55 ~ +150
Ratings
90
Unit
V
V
A
A
A
W
W/ :
:
Unit
/W
Thermal Data
Parameter
Thermal Resistance Junction-ambient
3
Max.
1/4

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