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GB05SLT12-252
Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 5A Surface Moun...
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上傳產(chǎn)品規(guī)格書GeneSiC Semiconductor
Schottky Silicon Carbide Diodes
1200 V
5 A
32 A
25 ns
1.9 V
26 uA
42 W
- 55 C to + 175 C
Through Hole
TO-263
20 pF
50
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