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GB01SLT12-252 Datasheet

  • GB01SLT12-252

  • Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 1A Surface Moun...

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

GB01SLT12-252 產(chǎn)品屬性

  • GeneSiC Semiconductor

  • Schottky Silicon Carbide Diodes

  • 1200 V

  • 1 A

  • 10 A

  • 17 ns

  • 1.8 V

  • 4 uA

  • 42 W

  • - 55 C to + 175 C

  • Through Hole

  • TO-263

  • 8 pF

  • 50

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