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FZT857 Datasheet

  • FZT857

  • NPN SILICON PLANAR HIGH CURRENT (HIGH PERFORMANCE)TRANSISTOR

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SOT223 NPN SILICON PLANAR HIGH CURRENT
(HIGH PERFORMANCE)TRANSISTOR
ISSUE 4 - SEPTEMBER 1997
FEATURES
* Up to 3.5 Amps continuous collector current, up to 5 Amp peak
* V
CEO
= 300V
* Very low saturation voltage
* Excellent h
FE
specified up to 3 Amps
PARTMARKING DETAIL -
COMPLEMENTARY TYPE -
FZT857
FZT957
FZT857
C
E
C
B
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Peak Pulse Current
Continuous Collector Current
Power Dissipation at T
amb
=25擄C
Operating and Storage Temperature Range
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CM
I
C
P
tot
T
j
:T
stg
VALUE
350
300
6
5
3.5
3
-55 to +150
UNIT
V
V
V
A
A
W
擄C
*The power which can be dissipated assuming the device is mounted in a typical manner on a
P.C.B. with copper equal to 2 inches square.

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