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FZ800R17KF6CB2 Datasheet

  • FZ800R17KF6CB2

  • IGBT Module

  • 98.21KB

  • 8頁(yè)

  • ETC

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Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FZ 800 R 17 KF6C B2
1700V IGBT Modul mit low loss IGBT der 2. Generation und softer EmCon Diode
1700V IGBT Module with low loss IGBT of 2nd generation and soft EmCon Diode
H枚chstzul盲ssige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
Grenzlastintegral der Diode
I
2
t - value, Diode
Isolations-Pr眉fspannung
insulation test voltage
t
P
= 1 ms
T
C
= 80 擄C
T
C
= 25 擄C
t
P
= 1 ms, T
C
= 80擄C
V
CES
I
C,nom.
I
C
I
CRM
1700
800
1300
1600
V
A
A
A
T
C
=25擄C, Transistor
P
tot
6,6
kW
V
GES
+/- 20V
V
I
F
800
A
I
FRM
1600
A
V
R
= 0V, t
p
= 10ms, T
Vj
= 125擄C
I
2
t
170
kA s
2
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
V
ISOL
4
kV
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
Kollektor-Emitter S盲ttigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
Gateladung
gate charge
Eingangskapazit盲t
input capacitance
R眉ckwirkungskapazit盲t
reverse transfer capacitance
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
I
C
= 800A, V
GE
= 15V, T
vj
= 25擄C
I
C
= 800A, V
GE
= 15V, T
vj
= 125擄C
I
C
= 60mA, V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25擄C
V
GE(th)
V
CE sat
min.
-
-
4,5
typ.
2,6
3,1
5,5
max.
3,1
3,6
6,5
V
V
V
V
GE
= -15V ... +15V
Q
G
-
9,6
-
碌C
f = 1MHz,T
vj
= 25擄C,V
CE
= 25V, V
GE
= 0V
C
ies
-
52
-
nF
f = 1MHz,T
vj
= 25擄C,V
CE
= 25V, V
GE
= 0V
V
CE
= 1700V, V
GE
= 0V, T
vj
= 25擄C
V
CE
= 1700V, V
GE
= 0V, T
vj
= 125擄C
V
CE
= 0V, V
GE
= 20V, T
vj
= 25擄C
C
res
I
CES
-
-
-
2,7
0,02
10
-
-
1,5
80
400
nF
mA
mA
nA
I
GES
-
prepared by: Alfons Wiesenthal
approved by: Chr. L眉bke; 11.08.2000
date of publication: 04.08.2000
revision: 2 (Series)
1(8)
FZ800R17KF6CB2

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