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FZ800R12KF4 Datasheet

  • FZ800R12KF4

  • IGBT Module

  • 4頁

  • ETC

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

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European Power-
Semiconductor and
Electronics Company
GmbH + Co. KG
Marketing Information
FZ 800 R 12 KF 4
18
screwing depth
max. 8
61,5
M8
31,5
130
114
C
C
E
E
E
C
7
28
16,5
G
M4
2,5
18,5
external connection to be
done
C
C
C
G
E
E
E
external connection to be
done
A15/97 Mod-E/ 21.Jan 1998 G.Schulze

FZ800R12KF4 產(chǎn)品屬性

  • Infineon

  • IGBT 模塊

  • IGBT Silicon Modules

  • Dual Common Emitter Common Gate

  • 1200 V

  • 2.7 V

  • 800 A

  • 400 nA

  • 5.4 KW

  • + 125 C

  • IHM130

  • +/- 20 V

  • - 40 C

  • SMD/SMT

  • 8

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