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FYPF2010DN Datasheet

  • FYPF2010DN

  • 20A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

  • 4頁

  • FAIRCHILD

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FYPF2010DN
FYPF2010DN
Features
鈥?Low forward voltage drop
鈥?High frequency properties and switching speed
鈥?Guard ring for over-voltage protection
Applications
鈥?Switched mode power supply
鈥?Freewheeling diodes
鈥?Polarity protection
1 2
3
TO-220F
1. Anode 2.Cathode 3. Anode
20A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
Absolute Maximum Ratings
(per diode) T
C
=25擄C unless otherwise noted
擄
Symbol
V
RRM
V
R
I
F(AV)
I
FSM
T
J,
T
STG
Parameter
Maximum Repetitive Reverse Voltage
Maximum DC Reverse Voltage
Maximum Average Rectified Current
Maximum Forward Surge Current (per diode)
60Hz Single Half-Sine Wave
Operating Junction and Storage Temperature
@ T
C
= 105擄C
Value
100
100
20
150
-65 to +150
Units
V
V
A
A
擄C
Thermal Characteristics
Symbol
R
胃JC
Parameter
Maximum Thermal Resistance, Junction to Case (per diode)
Value
2.8
Units
擄C/W
Electrical Characteristics
(per diode) T
C
=25
擄
C unless otherwise noted
Symbol
V
FM
*
Parameter
Maximum Instantaneous Forward Voltage
I
F
= 10A
I
F
= 10A
I
F
= 20A
I
F
= 20A
Maximum Instantaneous Reverse Current
(per diode)
@ rated V
R
Min.
T
C
= 25
擄C
T
C
= 125
擄C
T
C
= 25
擄C
T
C
= 125
擄C
T
C
= 25
擄C
T
C
= 125
擄C
-
-
-
-
-
-
Typ.
-
-
-
-
-
-
Max.
0.77
0.65
-
0.75
mA
0.1
20
Units
V
I
RM
*
* Pulse Test: Pulse Width=300碌s, Duty Cycle=2%
漏2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A, September 2002

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