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FYP1010DN_07 Datasheet

  • FYP1010DN_07

  • Schottky Barrier Rectifier

  • 190.01KB

  • 4頁

  • FAIRCHILD

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FYP1010DN
June 2007
FYP1010DN
Schottky Barrier Rectifier
鈥?Low forward voltage drop
鈥?High frequency properties and switching speed
鈥?Guard ring for over-voltage protection
Applications
鈥?Switched mode power supply
鈥?Freewheeling diodes
1.Anode
3.Anode
1
2. Cathode
TO220 (None Jedec type)
Absolute Maximum Ratings
Symbol
V
RRM
V
R
I
F(AV)
I
FSM
T
J,
T
STG
*T
C
=25擄C unless otherwise noted
Parameter
Maximum Repetitive Reverse Voltage
Maximum DC Reverse Voltage
Average Rectified Forward Current
@ T
C
= 135擄C
Value
100
100
10
100
-65 to +150
Units
V
V
A
A
擄C
Non-repetitive Peak Surge Current (per diode)
60Hz Single Half-Sine Wave
Operating Junction and Storage Temperature
Thermal Characteristics
Symbol
R
胃JC
Parameter
Maximum Thermal Resistance, Junction to Case (per diode)
Value
2.5
Units
擄C/W
Electrical Characteristics
(per diode)
Symbol
V
FM
*
Parameter
Maximum Instantaneous Forward Voltage
I
F
= 5A
I
F
= 5A
I
F
= 10A
I
F
= 10A
Maximum Instantaneous Reverse Current
@ rated V
R
T
C
= 25
擄C
T
C
= 125
擄C
T
C
= 25
擄C
T
C
= 125
擄C
T
C
= 25
擄C
T
C
= 125
擄C
Value
0.75
0.65
0.95
0.73
1
30
Units
V
I
RM
*
mA
* Pulse Test: Pulse Width=300渭s, Duty Cycle=2%
漏2007 Fairchild Semiconductor Corporation
1
www.fairchildsemi.com
FYP1010DN Rev. C

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