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FX6ASJ-03 Datasheet

  • FX6ASJ-03

  • High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET

  • 7頁

  • RENESAS

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FX6ASJ-03
High-Speed Switching Use
Pch Power MOS FET
REJ03G0247-0100
Rev.1.00
Aug.20.2004
Features
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
Drive voltage : 4 V
V
DSS
: 鈥?30 V
r
DS(ON) (max)
: 0.29
鈩?/div>
I
D
: 鈥?6 A
Recovery Time of the Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) : 40 ns
Outline
MP-3A
3
4
12
3
1
1.
2.
3.
4.
Gate
Drain
Source
Drain
2, 4
Applications
Motor control, lamp control, solenoid control, DC-DC converters, etc.
Maximum Ratings
(Tc = 25擄C)
Parameter
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Drain current
Drain current (Pulsed)
Avalanche current (Pulsed)
Source current
Source current (Pulsed)
Maximum power dissipation
Channel temperature
Storage temperature
Mass
Symbol
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
I
DA
I
S
I
SM
P
D
Tch
Tstg
鈥?/div>
Ratings
鈥?0
鹵20
鈥?
鈥?4
鈥?
鈥?
鈥?4
20
鈥?55 to +150
鈥?55 to +150
0.32
Unit
V
V
A
A
A
A
A
W
擄C
擄C
g
Conditions
V
GS
= 0 V
V
DS
= 0 V
L = 30
碌H
Typical value
Rev.1.00, Aug.20.2004, page 1 of 6

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    TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 6A I(D) | ...
    ETC
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    TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 6A I(D) | T...
    ETC
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    TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 6A I(D) | T...
    ETC
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    HIGH-SPEED SWITCHING USE
    MITSUBISHI
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    Pch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE
    POWEREX
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