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FSC110R Datasheet

  • FSC110R

  • TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | CHIP

  • 5頁

  • ETC

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FSC110R
Data Sheet
April 1999
File Number
4679
Radiation Hardened, SEGR Resistant
N-Channel Power MOSFET
Features
鈥?100V, 3.5A (Note), 0.600
鈩?/div>
鈥?Total Dose
- Meets Pre-RAD Speci鏗乧ations to 100K RAD (Si)
鈥?Single Event
- SEE Immunity for 1E5 ions/cm
2
having an LET of
36MeV/mg/cm
2
and a Range of 36
m with V
DS
up to
80% of Rated Breakdown and V
GS
of 10V Off-Bias
鈥?Dose Rate
- Typically Survives 3E9 RAD (Si)/s at 80% BV
DSS
- Typically Survives 2E12 if Current Limited to I
DM
鈥?Photo Current
- 0.3nA Per-RAD(Si)/s Typically
鈥?Neutron
- Maintain Pre-RAD Speci鏗乧ations
for 3E13 Neutrons/cm
2
- Usable to 3E14 Neutrons/cm
2
NOTE: Current rating de鏗乶ed for TO-205AF package.
Ordering Information
RAD LEVEL
100K
SCREENING LEVEL
JANKC
PART NUMBER/BRAND
FSC110R
Symbol
D
G
S
漏2001 Fairchild Semiconductor Corporation
FSC110R Rev. A

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    描述
    廠商
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  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | CHIP
    ETC
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    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | CHIP
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