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FSB6726 Datasheet

  • FSB6726

  • PNP General Purpose Amplifier

  • 3頁

  • FAIRCHILD

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FSB6726
FSB6726
C
E
B
SuperSOT
TM
-3
PNP General Purpose Amplifier
This device is designed for general purpose medium power amplifiers and switches requiring collector currents
to 1.0 A. Sourced from Process 77.
Absolute Maximum Ratings*
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J,
T
stg
Parameter
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current - Continuous
T
A = 25擄C unless otherwise noted
FSB660/FSB660A
30
40
5
1.5
-55 to +150
Units
V
V
V
A
擄C
Operating and Storage Junction Temperature Range
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES:
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150擄C.
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Thermal Characteristics
Symbol
T
A = 25擄C unless otherwise noted
Max
Characteristic
FSB6726
P
D
R
胃JA
Total Device Dissipation
Thermal Resistance, Junction to Ambient
500
250
mW
擄C/W
Units
漏
1999 Fairchild Semiconductor Corporation
Page 1 of 2
fsb6726lwp Pr77 RevA

FSB6726 產(chǎn)品屬性

  • 3,000

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • 晶體管(BJT) - 單路

  • -

  • PNP

  • 1.5A

  • 30V

  • 500mV @ 100mA，1A

  • -

  • 50 @ 1A，1V

  • 500mW

  • -

  • 表面貼裝

  • TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 3-SSOT

  • 帶卷 (TR)

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