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FPN560 Datasheet

  • FPN560

  • NPN Low Saturation Transistor

  • 49.25KB

  • 4頁

  • FAIRCHILD

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FPN560 / FPN560A
FPN560
FPN560A
C
TO-226
B
E
NPN Low Saturation Transistor
These devices are designed for high current gain and low
saturation voltage with collector currents up to 3.0 A continuous.
Sourced from Process NA.
Absolute Maximum Ratings*
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
stg
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
- Continuous
Collector-Emitter Voltage
TA = 25擄C unless otherwise noted
Parameter
Value
60
80
5.0
3.0
-55 to +150
Units
V
V
V
A
擄C
Operating and Storage Junction Temperature Range
*
These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES:
1)
These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.
2)
These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Thermal Characteristics
Symbol
P
D
R
胃JC
R
胃JA
TA = 25擄C unless otherwise noted
Characteristic
Total Device Dissipation
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Max
FPN560 / FPN560A
1.0
50
125
Units
W
擄C/W
擄C/W
錚?/div>
1999 Fairchild Semiconductor Corporation

FPN560 產(chǎn)品屬性

  • 1,500

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • 晶體管(BJT) - 單路

  • -

  • NPN

  • 3A

  • 60V

  • 350mV @ 200mA，2A

  • -

  • 100 @ 500mA，2V

  • 1W

  • 75MHz

  • 通孔

  • TO-226-3、TO-92-3 長體

  • TO-226

  • 散裝

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    FAIRCHILD ...
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    NPN Low Saturation Transistor
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    NPN Low Saturation Transistor
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    FAIRCHILD
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    NPN Low Saturation Transistor
    FAIRCHILD ...
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    FPN FHN Networks Precision Shunt Networks
    RIEDON
  • 英文版
    FPN FHN Networks Precision Shunt Networks
    RIEDON [Ri...
  • 英文版
    Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-El...
    FAIRCHILD

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