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FP75R12KE3V1 Datasheet

  • FP75R12KE3V1

  • IGBT Module

  • 11頁

  • ETC

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Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FP75R12KE3
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
H枚chstzul盲ssige Werte / Maximum rated values
Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier
Periodische R眉ckw. Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
Gleichrichter Ausgang Grenzeffektivstrom
maximum RMS current at Rectifier output
Durchla脽strom Grenzeffektivwert proChip
Forward current RMS maximum per Chip
Sto脽strom Grenzwert
surge forward current
Grenzlastintegral
I t - value
2
T
vj
= 25擄C
T
C
= 80擄C
T
C
= 80擄C
t
P
= 10 ms, T
vj
=
t
P
= 10 ms, T
vj
=
25擄C
25擄C
V
RRM
I
RMSmax
I
FRMSM
I
FSM
It
2
1600
115
80
500
400
1250
800
V
A
A
A
A
A
2
s
A
2
s
t
P
= 10 ms, T
vj
= 150擄C
t
P
= 10 ms, T
vj
= 150擄C
Transistor Wechselrichter/ Transistor Inverter
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Diode Wechselrichter/ Diode Inverter
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
Grenzlastintegral
I
2
t - value
t
P
= 1 ms
V
R
= 0V, t
p
= 10ms, T
vj
= 125擄C
I
F
I
FRM
2
It
T
vj
= 25擄C
Tc = 80 擄C
T
C
= 25 擄C
t
P
= 1 ms,
T
C
= 25擄C
T
C
= 80 擄C
V
CES
I
C,nom.
I
C
I
CRM
P
tot
V
GES
1200
75
105
150
350
+/- 20V
V
A
A
A
W
V
75
150
1.190
A
A
A
2
s
Transistor Brems-Chopper/ Transistor Brake-Chopper
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Diode Brems-Chopper/ Diode Brake-Chopper
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
prepared by: Andreas Schulz
approved by: Robert Severin
t
P
= 1 ms
I
F
I
FRM
25
50
A
A
T
vj
= 25擄C
T
C
= 80 擄C
T
C
= 25 擄C
t
P
= 1 ms, T
C
= 80擄C
T
C
= 25擄C
V
CES
I
C,nom.
I
C
I
CRM
P
tot
V
GES
1200
40
55
80
200
+/- 20V
V
A
A
A
W
V
date of publication:23.04.2002
revision: 2
1(11)
DB-PIM-IGBT3_2Serie.xls

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