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FP40R12KE3G Datasheet

  • FP40R12KE3G

  • IGBT-Modules

  • 11頁

  • EUPEC

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

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Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FP40R12KE3G
Vorl盲ufige Daten
Preliminary data
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
H枚chstzul盲ssige Werte / Maximum rated values
Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier
Periodische R眉ckw. Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
Gleichrichter Ausgang Grenzeffektivstrom
maximum RMS current at Rectifier output
Dauergleichstrom
DC forward current
Sto脽strom Grenzwert
surge forward current
Grenzlastintegral
I t - value
2
V
RRM
I
RMSmax
T
C
= 80擄C
t
P
= 10 ms,
t
P
= 10 ms,
t
P
= 10 ms,
t
P
= 10 ms,
T
vj
= 25擄C
T
vj
= 150擄C
T
vj
= 25擄C
T
vj
= 150擄C
I
d
I
FSM
I t
2
1600
t.b.d.
40
315
260
500
340
V
A
A
A
A
As
2
As
2
Transistor Wechselrichter/ Transistor Inverter
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Diode Wechselrichter/ Diode Inverter
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
Grenzlastintegral
I
2
t - value
Tc = 80 擄C
T
C
= 25 擄C
t
P
= 1 ms,
T
C
= 25擄C
T
C
= 80 擄C
V
CES
I
C,nom.
I
C
I
CRM
P
tot
V
GES
1200
40
55
80
200
+/- 20V
V
A
A
A
W
V
Tc = 80 擄C
t
P
= 1 ms
V
R
= 0V, t
p
= 10ms, T
vj
= 125擄C
I
F
I
FRM
I
2
t
40
80
320
A
A
A
2
s
Transistor Brems-Chopper/ Transistor Brake-Chopper
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Diode Brems-Chopper/ Diode Brake-Chopper
Dauergleichstrom
Tc = 80 擄C
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
prepared by: Andreas Schulz
approved by: Hornkamp
t
P
= 1 ms
T
C
= 80 擄C
T
C
= 25 擄C
t
P
= 1 ms, T
C
= 80擄C
T
C
= 25擄C
V
CES
I
C,nom.
I
C
I
CRM
P
tot
V
GES
1200
40
55
80
200
+/- 20V
V
A
A
A
W
V
I
F
I
FRM
15
30
A
A
date of publication:06.03.2001
revision: 1
1(11)
DB-PIM-IGBT3_1.xls

FP40R12KE3G 產(chǎn)品屬性

  • Infineon

  • IGBT 晶體管

  • Hex

  • 1200 V

  • 2.3 V

  • +/- 20 V

  • 40 A

  • 400 nA

  • 200 W

  • + 125 C

  • EconoPIM3-24

  • - 40 C

  • Screw

  • 500

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