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FJP5554TU Datasheet

  • FJP5554TU

  • High Voltage Fast Switching Transistor

  • 173.65KB

  • 6頁(yè)

  • FAIRCHILD

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FJP5554 High Voltage Fast Switching Transistor
FJP5554
High Voltage Fast Switching Transistor
Features
鈥?Fast Speed Switching
鈥?Wide Safe Operating Area
鈥?Suitable for Electronic Ballast Application
1
1.Base
TO-220
2.Collector
3.Emitter
Absolute Maximum Ratings
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
T
J
T
STG
Parameter
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current (DC)
* Collector Current (Pulse)
Collector Dissipation (T
C
= 25擄C)
Junction Temperature
Storage Temperature
Value
1050
400
15
4
8
70
150
-55 ~ 150
Units
V
V
V
A
A
W
擄C
擄C
* Pulse Test: PW = 300碌s, Duty Cycle = 2% Pulsed
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
J5554
J5554
Device
FJP5554TU
FJP5554
Package
TO-220
TO-220
Reel Size
-
-
Tape Width
-
-
Quantity
50
200
漏2005 Fairchild Semiconductor Corporation
1
www.fairchildsemi.com
FJP5554 Rev. A

FJP5554TU 產(chǎn)品屬性

  • 50

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • 晶體管(BJT) - 單路

  • -

  • NPN

  • 4A

  • 400V

  • 1.5V @ 1A，3.5A

  • 250µA

  • 20 @ 800mA，3V

  • 70W

  • -

  • 通孔

  • TO-220-3

  • TO-220

  • 管件

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