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FJC1963 Datasheet

  • FJC1963

  • NPN Epitaxial Silicon Transistor

  • 4頁(yè)

  • FAIRCHILD

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FJC1963
FJC1963
Audio Power Amplifier Applications
鈥?Complement to FJC1308
鈥?High Collector Current
鈥?Low Collector-Emitter Saturation Voltage
SOT-89
1
1. Base 2. Collector 3. Emitter
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25擄C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
STG
Parameter
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current (DC)
Power Dissipation(T
C
=25擄C)
Junction Temperature
Storage Temperature
Value
50
30
6
3
0.5
150
- 55 ~ 150
Units
V
V
V
A
W
擄C
擄C
Electrical Characteristics
T
C
=25擄C unless otherwise noted
Symbol
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CEO
I
EBO
h
FE
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
Parameter
Collector-Base Breakdown Voltage
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-Base Breakdown Voltage
Collector Cut-off Current
Emitter Cut-off Current
DC Current Gain
Collector-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter Saturation Voltage
Test Condition
I
C
=50碌A(chǔ), I
E
=0
I
C
=1mA, I
B
=0
I
E
=50碌A(chǔ), I
C
=0
V
CE
=40V, V
B
=0
V
EB
=5V, I
C
=0
V
CE
=2V, I
C
=0.5A
I
C
=1.5, I
B
=0.15A
I
C
=1.5, I
B
=0.15A
120
Min.
50
30
6
0.5
0.5
560
0.45
1.2
V
V
Typ.
Max.
Units
V
V
V
碌A(chǔ)
碌A(chǔ)
h
FE
Classification
Classification
h
FE
Q
120 ~ 270
Marking
R
180 ~ 390
S
280 ~ 560
FC Q
h
FE
grade
漏2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A1, August 2002

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