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FDZ2554P Datasheet

  • FDZ2554P

  • Monolithic Common Drain P-Channel 2.5V Specified PowerTrench

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  • FAIRCHILD

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FDZ2554P
August 2004
FDZ2554P
Monolithic Common Drain P-Channel 2.5V Specified PowerTrench
廬
BGA MOSFET
General Description
Combining Fairchild鈥檚 advanced 2.5V specified
PowerTrench process with state-of-the-art BGA
packaging, the FDZ2554P minimizes both PCB space
and R
DS(ON)
. This monolithic common drain BGA
MOSFET embodies a breakthrough in packaging
technology which enables the device to combine
excellent thermal transfer characteristics, high current
handling capability, ultra-low profile packaging, low gate
charge, and low R
DS(ON)
.
Features
鈥?/div>
鈥?.5 A, 鈥?0 V. R
DS(ON)
= 28 m鈩?@ V
GS
= 鈥?.5 V
R
DS(ON)
= 45 m鈩?@ V
GS
= 鈥?.5 V
鈥?/div>
Occupies only 0.10 cm
2
of PCB area:
1/3 the area of SO-8
鈥?/div>
Ultra-thin package: less than 0.80 mm height when
mounted to PCB
鈥?/div>
Outstanding thermal transfer characteristics:
significantly better than SO-8
鈥?/div>
Ultra-low Q
g
x R
DS(ON)
figure-of-merit
鈥?/div>
High power and current handling capability
Applications
鈥?/div>
Battery management
鈥?/div>
Load switch
鈥?/div>
Battery protection
D
D
S
S
S
D
S
S
S
Pin 1
S
G
Q1
S
G
S
G
Q2
F2554
Q1
D
Q2
S
S
D
S
D
Pin 1
D
G
Bottom
Top
T
A
=25 C unless otherwise noted
o
Absolute Maximum Ratings
V
DSS
V
GSS
I
D
Symbol
P
D
T
J
, T
STG
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Drain Current 鈥?Continuous
(Note 1a)
鈥?Pulsed
Power Dissipation (Steady State)
(Note 1a)
Operating and Storage Junction Temperature Range
Parameter
鈥?0
鹵12
鈥?.5
鈥?0
2.1
鈥?5 to +150
Ratings
Units
V
V
A
W
擄C
Thermal Characteristics
R
胃JA
R
胃JB
R
胃JC
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Thermal Resistance, Junction-to-Ball
Thermal Resistance, Junction-to-Case
(Note 1a)
(Note 1b)
(Note 1)
60
6.3
0.6
擄C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
2554P
Device
FDZ2554P
Reel Size
7鈥欌€?/div>
Tape width
12mm
Quantity
3000 units
FDZ2554P Rev C5 (W)
漏2004
Fairchild Semiconductor Corporation

FDZ2554P 產(chǎn)品屬性

  • 3,000

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • FET - 陣列

  • PowerTrench®

  • 2 個 P 溝道（雙）

  • 邏輯電平門

  • 20V

  • 6.5A

  • 28 毫歐 @ 6.5A，4.5V

  • 1.5V @ 250µA

  • 20nC @ 4.5V

  • 1900pF @ 10V

  • 2.1W

  • 表面貼裝

  • 18-WFBGA

  • 18-BGA

  • 帶卷 (TR)

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    P-Channel 30 Volt PowerTrench
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    60V N-Channel PowerTrench BGA MOSFET
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    P-Channel 1.5 V Specified PowerTrench BGA MOSFET
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