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FDZ2553N Datasheet

  • FDZ2553N

  • Monolithic Common Drain N-Channel 2.5V Specified PowerTrench

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  • FAIRCHILD

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FDZ2553N
February 2003
FDZ2553N
Monolithic Common Drain N-Channel 2.5V Specified PowerTrench BGA MOSFET
General Description
Combining Fairchild鈥檚 advanced 2.5V specified
PowerTrench process with state-of-the-art BGA
packaging, the FDZ2553N minimizes both PCB space
and R
DS(ON)
. This Monolithic Common Drain BGA
MOSFET embodies a breakthrough in packaging
technology which enables the device to combine
excellent thermal transfer characteristics, high current
handling capability, ultra-low profile packaging, low gate
charge, and low R
DS(ON)
.
Features
鈥?/div>
9.6 A, 20 V.
R
DS(ON)
= 14 m鈩?@ V
GS
= 4.5 V
R
DS(ON)
= 20 m鈩?@ V
GS
= 2.5 V
鈥?/div>
Occupies only 0.10 cm
2
of PCB area:
1/3 the area of SO-8.
鈥?/div>
Ultra-thin package: less than 0.80 mm height when
mounted to PCB.
鈥?/div>
Outstanding thermal transfer characteristics:
significantly better than SO-8.
鈥?/div>
Ultra-low Q
g
x R
DS(ON)
figure-of-merit
鈥?/div>
High power and current handling capability
Applications
鈥?/div>
Battery management
鈥?/div>
Load switch
鈥?/div>
Battery protection
D
D
S
S
S
D
S
S
S
Pin 1
S
G
S
G
Q2
G
Q1
D
Q2
S
D
S
D
Pin 1
D
G
Bottom
Top
T
A
=25 C unless otherwise noted
o
Absolute Maximum Ratings
V
DSS
V
GSS
I
D
Symbol
P
D
T
J
, T
STG
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Drain Current 鈥?Continuous
(Note 1a)
鈥?Pulsed
Power Dissipation (Steady State)
(Note 1a)
Operating and Storage Junction Temperature Range
Parameter
20
鹵12
9.6
20
2.1
鈥?5 to +150
Ratings
Thermal Characteristics
R
胃
JA
R
胃
JB
R
胃
JC
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Thermal Resistance, Junction-to-Ball
Thermal Resistance, Junction-to-Case
(Note 1a)
(Note 1)
(Note 1)
60
6.3
0.6
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
2553N
Device
FDZ2553N
Reel Size
7鈥欌€?/div>
Tape width
12mm
漏
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
聽
S
Q1
S
Units
V
V
A
W
擄C
擄C/W
Quantity
3000 units
FDZ2553N Rev D2 (W)

FDZ2553N 產(chǎn)品屬性

  • 3,000

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • FET - 陣列

  • PowerTrench®

  • 2 個 N 溝道（雙）

  • 邏輯電平門

  • 20V

  • 9.6A

  • 14 毫歐 @ 9.6A，4.5V

  • 1.5V @ 250µA

  • 17nC @ 4.5V

  • 1299pF @ 10V

  • 2.1W

  • 表面貼裝

  • 18-WFBGA

  • 18-BGA

  • 帶卷 (TR)

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    60V N-Channel PowerTrench BGA MOSFET
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    60V N-Channel PowerTrench BGA MOSFET
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    P-Channel 1.5 V Specified PowerTrench BGA MOSFET
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