FDZ2551N Datasheet

IC型號：
FDZ2551N
PDF描述：
Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM BGA MOSFET
文件大?。?/label>
54.98KB
PDF頁數(shù)：
4頁
芯片廠家：
FAIRCHILD

閱覽下載糾錯 0

掃碼查看芯片數(shù)據(jù)手冊

上傳產(chǎn)品規(guī)格書

PDF預覽

FDZ2551N

November 1999

ADVANCE INFORMATION

FDZ2551N

Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench

BGA MOSFET

General Description

Combining Fairchild鈥檚 advanced 2.5V specified

PowerTrench process with state of the art BGA

packaging, the FDZ2551N minimizes both PCB space

and R

DS(ON)

. This dual BGA MOSFET embodies a

breakthrough in packaging technology which enables

the device to combine excellent thermal transfer

characteristics, high current handling capability, ultra-

low profile packaging, low gate charge, and low R

DS(ON)

Features

鈥?

9 A, 20 V.

DS(ON)

= 0.018

鈩?/div>

@ V

= 4.5 V

DS(ON)

= 0.030

鈩?/div>

@ V

= 2.5 V.

鈥?

Occupies only 0.10 cm

of PCB area.

1/3 the area of SO-8.

鈥?

Ultra-thin package: less than 0.70 mm height when

mounted to PCB.

鈥?

Outstanding thermal transfer characteristics:

significantly better than SO-8.

鈥?

Ultra-low Q

x R

DS(ON)

figure-of-merit.

鈥?

High power and current handling capability.

Applications

鈥?

Battery management

鈥?

Load switch

鈥?

Battery protection

Pin 1

F2551

Pin 1

Bottom

Top

=25

C unless otherwise noted

Absolute Maximum Ratings

Symbol

DSS

GSS

, T

stg

Parameter

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current 鈥?Continuous

(Note 1a)

鈥?Pulsed

Power Dissipation (Steady State)

(Note 1a)

Operating and Storage Junction Temperature Range

Ratings

鹵12

-55 to +175

Units

擄C

Thermal Characteristics

胃JA

胃JC

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

Thermal Resistance, Junction-to-Case

(Note 1a)

(Note 1)

擄C/W

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

F2551

Device

FDZ2551N

Reel Size

TBD

Tape width

TBD

Quantity

TBD

餂?999

Fairchild Semiconductor Corporation

FDZ2551N Rev A1(W)

制造商
Fairchild Semiconductor
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
20 V
閘/源擊穿電壓
+/- 12 V
漏極連續(xù)電流
9 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.018 Ohms
配置
Dual Common Drain
最大工作溫度
+ 150 C
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
BGA
封裝
Reel
下降時間
8 ns
最小工作溫度
- 55 C
功率耗散
2.1 W
上升時間
11 ns
工廠包裝數(shù)量
3000
典型關(guān)閉延遲時間
26 ns

FDZ2551N相關(guān)型號PDF文件下載

型號

版本

描述

廠商

下載
FDZ201N

英文版

N-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM BGA MOSFET

FAIRCHILD

FDZ201N
FDZ201N

英文版

N-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM BGA MOSFET

FAIRCHILD ...

FDZ201N
FDZ202P

英文版

P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM BGA MOSFET

FAIRCHILD

FDZ202P
FDZ202P

英文版

P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM BGA MOSFET

FAIRCHILD ...

FDZ202P
FDZ203N

英文版

N-Channel 2.5V Specified PowerTrench BGA MOSFET

FAIRCHILD

FDZ203N
FDZ203N

英文版

N-Channel 2.5V Specified PowerTrench BGA MOSFET

FAIRCHILD ...

FDZ203N
FDZ204P

英文版

P-Channel 2.5V Specified PowerTrench

FAIRCHILD

FDZ204P
FDZ204P

英文版

P-Channel 2.5V Specified PowerTrench

FAIRCHILD ...

FDZ204P
FDZ206P

英文版

P-Channel 2.5V Specified PowerTrench

FAIRCHILD

FDZ206P
FDZ206P

英文版

P-Channel 2.5V Specified PowerTrench

FAIRCHILD ...

FDZ206P
FDZ208P

英文版

P-Channel 30 Volt PowerTrench

FAIRCHILD

FDZ208P
FDZ208P

英文版

P-Channel 30 Volt PowerTrench

FAIRCHILD ...

FDZ208P
FDZ209N

英文版

60V N-Channel PowerTrench BGA MOSFET

FAIRCHILD

FDZ209N
FDZ209N

英文版

60V N-Channel PowerTrench BGA MOSFET

FAIRCHILD ...

FDZ209N
FDZ291P

英文版

P-Channel 1.5 V Specified PowerTrench BGA MOSFET

FAIRCHILD

FDZ291P
FDZ291P

英文版

P-Channel 1.5 V Specified PowerTrench BGA MOSFET

FAIRCHILD ...

FDZ291P
FDZ293P

英文版

P-Channel 2.5 V Specified PowerTrench BGA MOSFET

FAIRCHILD

FDZ293P
FDZ293P

英文版

P-Channel 2.5 V Specified PowerTrench BGA MOSFET

FAIRCHILD ...

FDZ293P
FDZ294N

英文版

N-Channel 2.5 V Specified PowerTrench BGA MOSFET

FAIRCHILD

FDZ294N
FDZ294N

英文版

N-Channel 2.5 V Specified PowerTrench BGA MOSFET

FAIRCHILD ...

FDZ294N

FDZ2551N Datasheet

PDF預覽

FDZ2551N 產(chǎn)品屬性

FDZ2551N相關(guān)型號PDF文件下載

您可能感興趣的PDF文件資料

熱門IC型號推薦

FDZ2551N Datasheet

PDF預覽

FDZ2551N 產(chǎn)品屬性

FDZ2551N相關(guān)型號PDF文件下載

您可能感興趣的PDF文件資料

熱門IC型號推薦

建議反饋

PDF糾錯X