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FDZ206P Datasheet

  • FDZ206P

  • P-Channel 2.5V Specified PowerTrench

  • 6頁

  • FAIRCHILD

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FDZ206P
January 2003
FDZ206P
P-Channel 2.5V Specified PowerTrench BGA MOSFET
General Description
Combining Fairchild鈥檚 advanced 2.5V specified
PowerTrench process with state of the art BGA
packaging, the FDZ206P minimizes both PCB space
and R
DS(ON)
.
This BGA MOSFET embodies a
breakthrough in packaging technology which enables
the device to combine excellent thermal transfer
characteristics, high current handling capability, ultra-
low profile packaging, low gate charge, and low R
DS(ON)
.
聽
Features
鈥?/div>
鈥?3 A, 鈥?0 V. R
DS(ON)
= 9.5 m鈩?@ V
GS
= 鈥?.5 V
R
DS(ON)
= 14.5 m鈩?@ V
GS
= 鈥?.5 V
鈥?/div>
Occupies only 14 mm
2
of PCB area.
Only 42% of the area of SO-8
鈥?/div>
Ultra-thin package: less than 0.80 mm height when
mounted to PCB
鈥?/div>
0.65 mm ball pitch
鈥?/div>
3.5 x 4 mm
2
footprint
鈥?/div>
High power and current handling capability
Applications
鈥?/div>
Battery management
鈥?/div>
Load switch
鈥?/div>
Battery protection
D
D
D
D
D
S
S
S
G
D
S
S
S
S
D
S
S
S
S
D
S
S
S
S
D
D
D
D
D
Pin 1
S
F206P
G
Pin 1
D
D
Bottom
Top
T
A
=25 C unless otherwise noted
o
Absolute Maximum Ratings
Symbol
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
J
, T
STG
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Drain Current 鈥?Continuous
(Note 1a)
鈥?Pulsed
Power Dissipation (Steady State)
(Note 1a)
Operating and Storage Junction Temperature Range
Ratings
鈥?0
鹵12
鈥?3
鈥?0
2.2
鈥?5 to +150
Units
V
V
A
W
擄C
Thermal Characteristics
R
胃
JA
R
胃
JB
R
胃
JC
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Thermal Resistance, Junction-to-Ball
Thermal Resistance, Junction-to-Case
(Note 1a)
(Note 1)
(Note 1)
56
4.5
0.6
擄C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
206P
Device
FDZ206P
Reel Size
13鈥?/div>
Tape width
12mm
Quantity
3000
漏
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FDZ206P Rev. D1(W)

FDZ206P 產(chǎn)品屬性

  • 4,000

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • FET - 單

  • PowerTrench®

  • MOSFET P 通道，金屬氧化物

  • 邏輯電平門

  • 20V

  • 13A

  • 9.5 毫歐 @ 13A，4.5V

  • 1.5V @ 250µA

  • 53nC @ 4.5V

  • 4280pF @ 10V

  • 2.2W

  • 表面貼裝

  • 30-WFBGA

  • 30-BGA（4x3.5）

  • 帶卷 (TR)

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    P-Channel 1.5 V Specified PowerTrench BGA MOSFET
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