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FDV305N Datasheet

  • FDV305N

  • 20V N-Channel PowerTrench MOSFET

  • 5頁

  • FAIRCHILD

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FDV305N
January 2003
FDV305N
20V N-Channel PowerTrench
餂?/div>
MOSFET
General Description
This 20V N-Channel MOSFET uses Fairchild鈥檚 high
voltage PowerTrench process. It has been optimized for
power management applications.
Features
鈥?/div>
0.9 A, 20 V
R
DS(ON)
= 220 m鈩?@ V
GS
= 4.5 V
R
DS(ON)
= 300 m鈩?@ V
GS
= 2.5 V
鈥?/div>
Low gate charge
鈥?/div>
Fast switching speed
鈥?/div>
High performance trench technology for extremely
low R
DS(ON)
Applications
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
Load switch
Battery protection
Power management
D
D
S
SOT-23
G
G
S
Absolute Maximum Ratings
Symbol
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
J
, T
STG
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Drain Current
鈥?Continuous
鈥?Pulsed
Maximum Power Dissipation
T
A
=25
o
C unless otherwise noted
Parameter
Ratings
20
鹵
12
0.9
2
0.35
鈥?5 to +150
Units
V
V
A
W
擄C
Operating and Storage Junction Temperature Range
Thermal Characteristics
R
胃JA
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
357
擄C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
305
Device
FDV305N
Reel Size
7鈥欌€?/div>
Tape width
8mm
Quantity
3000 units
餂?003
Fairchild Semiconductor Corporation
FDV305N Rev D (W)

FDV305N 產(chǎn)品屬性

  • High Voltage Switches for Power Processing

  • 3,000

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • FET - 單

  • PowerTrench®

  • MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • 邏輯電平門

  • 20V

  • 900mA

  • 220 毫歐 @ 900mA，4.5V

  • 1.5V @ 250µA

  • 1.5nC @ 4.5V

  • 109pF @ 10V

  • 350mW

  • 表面貼裝

  • TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • SOT-23

  • 帶卷 (TR)

  • FDV305N-ND

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