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FDU6688 Datasheet

  • FDU6688

  • 30V N-Channel PowerTrench MOSFET

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FDD6688/FDU6688
June 2004
FDD6688/FDU6688
30V N-Channel PowerTrench
廬
MOSFET
General Description
This N-Channel MOSFET has been designed
specifically to improve the overall efficiency of DC/DC
converters using either synchronous or conventional
switching PWM controllers. It has been optimized for
low gate charge, low R
DS( ON)
and fast switching speed.
Features
鈥?/div>
84 A, 30 V.
R
DS(ON)
= 5 m鈩?@ V
GS
= 10 V
R
DS(ON)
= 6 m鈩?@ V
GS
= 4.5 V
鈥?/div>
Low gate charge
鈥?/div>
Fast switching
Applications
鈥?/div>
DC/DC converter
鈥?/div>
Motor Drives
鈥?/div>
High performance trench technology for extremely
low R
DS(ON)
D
D
G
S
I-PAK
(TO-251AA)
G D S
G
D-PAK
TO-252
(TO-252)
S
Absolute Maximum Ratings
Symbo
l
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
A
=25 C unless otherwise noted
o
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Drain Current
鈥?Continuous
鈥?Pulsed
Power Dissipation for Single Operation
(Note 3)
(Note 1a)
(Note 1)
(Note 1a)
(Note 1b)
Ratings
30
鹵20
84
100
83
3.8
1.6
鈥?5 to +175
Units
V
A
W
T
J
, T
STG
Operating and Storage Junction Temperature Range
擄C
Thermal Characteristics
R
胃JC
R
胃JA
Thermal Resistance, Junction-to-Case
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
(Note 1)
(Note 1a)
(Note 1b)
1.8
40
96
擄C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
FDD6688
FDU6688
Device
FDD6688
FDU6688
Package
D-PAK (TO-252)
I-PAK (TO-251)
Reel Size
13鈥欌€?/div>
Tube
Tape width
12mm
N/A
Quantity
2500 units
75
漏2004
Fairchild Semiconductor Corporation
FDD6688/FDU6688 Rev F(W)

FDU6688 產(chǎn)品屬性

  • 75

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • FET - 單

  • PowerTrench®

  • MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • 標(biāo)準(zhǔn)型

  • 30V

  • 84A

  • 5 毫歐 @ 18A，10V

  • 3V @ 250µA

  • 56nC @ 5V

  • 3845pF @ 15V

  • 1.6W

  • 通孔

  • TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA

  • I-Pak

  • 管件

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    30V N-Channel Fast Switching PowerTrench? MOSFET
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    N-Channel MOSFET
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    N-Channel MOSFET
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