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FDU6644 Datasheet

  • FDU6644

  • 30V N-Channel PowerTrench MOSFET

  • 6頁

  • FAIRCHILD

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FDD6644/FDU6644
April 2001
FDD6644/FDU6644
30V N-Channel PowerTrench
餂?/div>
MOSFET
General Description
This N-Channel MOSFET has been designed
specifically to improve the overall efficiency of DC/DC
converters using either synchronous or conventional
switching PWM controllers. It has been optimized for
low gate charge, low R
DS(ON)
and fast switching speed.
Features
鈥?/div>
67 A, 30 V.
R
DS(ON)
= 8.5 m鈩?@ V
GS
= 10 V
R
DS(ON)
= 10.5 m鈩?@ V
GS
= 4.5 V
Applications
鈥?/div>
DC/DC converter
鈥?/div>
High performance trench technology for extremely
low R
DS(ON)
鈥?/div>
Low gate charge (25 nC typical)
鈥?/div>
High power and current handling capability
D
D
G
S
I-PAK
(TO-251AA)
G D S
G
D-PAK
TO-252
(TO-252)
S
Absolute Maximum Ratings
Symbol
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Drain Current
鈥?Continuous
鈥?Pulsed
Maximum Power Dissipation
T
A
=25
o
C unless otherwise noted
Parameter
Ratings
30
鹵16
(Note 1a)
Units
V
V
A
W
67
100
68
3.8
1.6
-55 to +175
(Note 1)
(Note 1a)
(Note 1b)
T
J
, T
STG
Operating and Storage Junction Temperature Range
擄C
Thermal Characteristics
R
胃JC
R
胃JA
Thermal Resistance, Junction-to-Case
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
(Note 1)
(Note 1b)
2.2
96
擄C/W
擄C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
FDD6644
FDU6644
Device
FDD6644
FDU6644
Package
D-PAK (TO-252)
I-PAK (TO-251)
Reel Size
13鈥欌€?/div>
Tube
Tape width
12mm
N/A
Quantity
2500 units
75
餂?001
Fairchild Semiconductor Corporation
FDD/FDU6644 Rev C(W)

FDU6644 產(chǎn)品屬性

  • Fairchild Semiconductor

  • N-Channel

  • 30 V

  • +/- 16 V

  • 67 A

  • 8.5 m Ohms

  • Single

  • + 175 C

  • Through Hole

  • TO-251

  • Tube

  • 10 ns

  • - 55 C

  • 68 W

  • 12 ns

  • 48 ns

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    30V N-Channel Fast Switching PowerTrench? MOSFET
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