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FDU6512A Datasheet

  • FDU6512A

  • 20V N-Channel PowerTrench MOSFET

  • 5頁

  • FAIRCHILD

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FDD6512A/FDU6512A
November 2001
FDD6512A/FDU6512A
20V N-Channel PowerTrench
廬
MOSFET
General Description
This N-Channel MOSFET has been designed
specifically to improve the overall efficiency of DC/DC
converters using either synchronous or conventional
switching PWM controllers. It has been optimized for
low gate charge, low R
DS( ON)
, fast switching speed and
extremely low R
DS(ON)
in a small package.
Features
鈥?/div>
36 A, 20 V
R
DS(ON)
= 21 m鈩?@ V
GS
= 4.5 V
R
DS(ON)
= 31 m鈩?@ V
GS
= 2.5 V
鈥?/div>
Low gate charge (12 nC typical)
鈥?/div>
Fast switching
鈥?/div>
High performance trench technology for extremely
low R
DS(ON)
Applications
鈥?/div>
DC/DC converter
鈥?/div>
Motor drives
D
D
G
S
I-PAK
(TO-251AA)
G D S
G
D-PAK
TO-252
(TO-252)
S
o
Absolute Maximum Ratings
Symbol
V
DSS
V
GSS
I
D
T
A
=25 C unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current @T
C
=25擄C
@T
A
=25擄C
Pulsed
(Note 3)
(Note 1a)
(Note 1a)
(Note 3)
(Note 1a)
(Note 1b)
Ratings
20
鹵
12
36
10.7
100
43
3.8
1.6
鈥?5 to +175
Units
V
V
A
P
D
Power Dissipation
@T
C
=25擄C
@T
A
=25擄C
@T
A
=25擄C
W
T
J
, T
STG
Operating and Storage Junction Temperature Range
擄C
Thermal Characteristics
R
胃JC
R
胃JA
R
胃JA
Thermal Resistance, Junction-to-Case
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
(Note 1)
(Note 1a)
(Note 1b)
3.5
40
96
擄C/W
擄C/W
擄C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
FDD6512A
FDU6512A
Device
FDD6512A
FDU6512A
Package
D-PAK (TO-252)
I-PAK (TO-251)
Reel Size
13鈥欌€?/div>
Tube
Tape width
12mm
N/A
Quantity
2500 units
75
漏2001
Fairchild Semiconductor Corp.
FDD6512A/FDU6512A Rev B (W)

FDU6512A 產(chǎn)品屬性

  • 1,800

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • FET - 單

  • PowerTrench®

  • MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • 邏輯電平門

  • 20V

  • 10.7A

  • 21 毫歐 @ 10.7A，4.5V

  • 1.5V @ 250µA

  • 19nC @ 4.5V

  • 1082pF @ 10V

  • 1.6W

  • 通孔

  • TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA

  • I-Pak

  • 管件

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