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FDS8896 Datasheet

  • FDS8896

  • N-Channel PowerTrench?? MOSFET

  • 261.66KB

  • 12頁

  • FAIRCHILD

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FDS8896 N-Channel PowerTrench
廬
MOSFET
April 2005
FDS8896
N-Channel PowerTrench
廬
MOSFET
30V, 15A, 6.0m鈩?/div>
Features
r
DS(ON)
= 6.0m鈩? V
GS
= 10V, I
D
= 15A
r
DS(ON)
= 7.3m鈩? V
GS
= 4.5V, I
D
= 14A
High performance trench technology for extremely low
r
DS(ON)
Low gate charge
High power and current handling capability
General Description
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to
improve the overall efficiency of DC/DC converters using
either synchronous or conventional switching PWM
controllers. It has been optimized for low gate charge, low
r
DS(ON)
and fast switching speed.
Applications
DC/DC converters
Branding Dash
5
5
4
3
2
1
6
7
1
2
3
4
8
SO-8
漏2004 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS8896 Rev. A1
1
www.fairchildsemi.com

FDS8896 產(chǎn)品屬性

  • High Voltage Switches for Power Processing

  • 2,500

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • FET - 單

  • PowerTrench®

  • MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • 邏輯電平門

  • 30V

  • 15A

  • 6 毫歐 @ 15A，10V

  • 2.5V @ 250µA

  • 67nC @ 10V

  • 2525pF @ 15V

  • 2.5W

  • 表面貼裝

  • 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

  • 8-SO

  • 帶卷 (TR)

  • FDS8896-NDFDS8896TR

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