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FDS5672 Datasheet

  • FDS5672

  • N-Channel PowerTrench MOSFET

  • 473.73KB

  • 12頁

  • FAIRCHILD

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FDS5672 N-Channel PowerTrench
廬
MOSFET
July 2005
FDS5672
N-Channel PowerTrench
廬
MOSFET
60V, 12A, 10m鈩?/div>
Features
r
DS(ON)
= 10m鈩?V
GS
= 10V, I
D
= 12A
,
r
DS(ON)
= 14m鈩?V
GS
= 6V, I
D
= 10A
,
High performance trench technology for extremely low
r
DS(ON)
Low gate charge
High power and current handling capability
General Description
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to
improve the overall efficiency of DC/DC converters using
either synchronous or conventional switching PWM
controllers. It has been optimized for low gate charge, low
r
DS(ON)
and fast switching speed.
Applications
DC/DC converters
Branding Dash
5
5
4
3
2
1
6
7
1
2
3
4
8
SO-8
漏2005 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS5672 Rev. A
1
www.fairchildsemi.com

FDS5672 產(chǎn)品屬性

  • High Voltage Switches for Power Processing

  • 2,500

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • FET - 單

  • PowerTrench®

  • MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • 邏輯電平門

  • 60V

  • 12A

  • 10 毫歐 @ 12A，10V

  • 4V @ 250µA

  • 45nC @ 10V

  • 2200pF @ 25V

  • 2.5W

  • 表面貼裝

  • 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

  • 8-SOICN

  • 帶卷 (TR)

  • FDS5672-NDFDS5672TR

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