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FDN352AP Datasheet

  • FDN352AP

  • Single P-Channel, PowerTrench

  • 119.33KB

  • 5頁

  • FAIRCHILD

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FDN352AP Single P-Channel, PowerTrench
廬
MOSFET
April 2005
FDN352AP
Single P-Channel, PowerTrench
廬
MOSFET
Features
鈻?/div>
鈥?.3 A, 鈥?0V
鈥?.1 A, 鈥?0V
R
DS(ON)
= 180 m
鈩?/div>
@ V
GS
= 鈥?0V
R
DS(ON)
= 300 m
鈩?/div>
@ V
GS
= 鈥?.5V
鈻?/div>
High performance trench technology for extremely low
R
DS(ON)
.
鈻?/div>
High power version of industry Standard SOT-23 package.
Identical pin-out to SOT-23 with 30% higher power handling
capability.
General Description
This P-Channel Logic Level MOSFET is produced using Fair-
child Semiconductor advanced Power Trench process that has
been especially tailored to minimize the on-state resistance and
yet maintain low gate charge for superior switching perfor-
mance.
These devices are well suited for low voltage and battery pow-
ered applications where low in-line power loss is needed in a
very small outline surface mount package.
Applications
鈻?/div>
Notebook computer power management
D
D
S
G
G
S
SuperSOT鈩?3
Absolute Maximum Ratings
T
A
= 25擄C unless otherwise noted
Symbol
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
J
, T
STG
R
胃
JA
R
胃
JC
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Drain Current
鈥?Continuous
鈥?Pulsed
Power Dissipation for Single Operation
(Note 1a)
(Note 1b)
Operating and Storage Junction Temperature Range
(Note 1a)
Parameter
Ratings
鈥?0
鹵
25
鈥?.3
鈥?0
0.5
0.46
鈥?5 to +150
Units
V
V
A
W
擄
C
擄
C/W
Thermal Characteristics
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Thermal Resistance, Junction-to-Case
(Note 1a)
(Note 1)
250
75
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
52AP
Device
FDN352AP
Reel Size
7鈥欌€?/div>
Tape width
8mm
Quantity
3000 units
漏2005 Fairchild Semiconductor Corporation
1
www.fairchildsemi.com
FDN352AP Rev. C

FDN352AP 產品屬性

  • High Voltage Switches for Power Processing

  • 3,000

  • 分離式半導體產品

  • FET - 單

  • PowerTrench®

  • MOSFET P 通道，金屬氧化物

  • 邏輯電平門

  • 30V

  • 1.3A

  • 180 毫歐 @ 1.3A，10V

  • 2.5V @ 250µA

  • 1.9nC @ 4.5V

  • 150pF @ 15V

  • 460mW

  • 表面貼裝

  • TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 3-SSOT

  • 帶卷 (TR)

  • FDN352AP-ND

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  • 型號
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
    FAIRCHILD
  • 英文版
    P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    N-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET
    FAIRCHILD
  • 英文版
    N-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET
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    Single P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET
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    Single P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET
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    P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transist...
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    P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transist...
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    Single P-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET
    FAIRCHILD
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    Single P-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET
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    P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transist...
    FAIRCHILD
  • 英文版
    P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transist...
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  • 英文版
    N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET
    FAIRCHILD
  • 英文版
    N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET
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    Single P-Channel PowerTrenchTM MOSFET
    FAIRCHILD
  • 英文版
    Single P-Channel PowerTrenchTM MOSFET
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    N-Channel, Logic Level, PowerTrenchビヌ
    FAIRCHILD
  • 英文版
    N-Channel, Logic Level, PowerTrenchビヌ
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
    FAIRCHILD
  • 英文版
    MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3

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