FDN306P Datasheet

IC型號：
FDN306P
PDF描述：
P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
文件大?。?/label>
145.56KB
PDF頁數(shù)：
5頁
芯片廠家：
FAIRCHILD

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FDN306P

December 2001

FDN306P

P-Channel 1.8V Specified PowerTrench

餂?/div>

MOSFET

General Description

This P-Channel 1.8V specified MOSFET uses

Fairchild鈥檚 advanced low voltage PowerTrench process.

It has been optimized for battery power management

applications.

Features

鈥?/div>

鈥?.6 A, 鈥?2 V.

DS(ON)

= 40 m鈩?@ V

= 鈥?.5 V

DS(ON)

= 50 m鈩?@ V

= 鈥?.5 V

DS(ON)

= 80 m鈩?@ V

= 鈥?.8 V

Applications

鈥?/div>

Battery management

鈥?/div>

Load switch

鈥?/div>

Battery protection

鈥?/div>

Fast switching speed

鈥?/div>

High performance trench technology for extremely

low R

DS(ON)

鈥?/div>

SuperSOT

-3 provides low R

DS(ON)

and 30% higher

power handling capability than SOT23 in the same

footprint

SuperSOT -3

=25

C unless otherwise noted

Absolute Maximum Ratings

Symbol

DSS

GSS

, T

STG

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current

鈥?Continuous

鈥?Pulsed

Maximum Power Dissipation

Parameter

Ratings

鈥?2

鹵8

(Note 1a)

Units

擄C

鈥?/div>

2.6

鈥?/div>

0.5

0.46

鈥?5 to +150

(Note 1a)

(Note 1b)

Operating and Storage Junction Temperature Range

Thermal Characteristics

胃JA

胃JC

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

Thermal Resistance, Junction-to-Case

(Note 1a)

(Note 1)

250

擄C/W

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

306

Device

FDN306P

Reel Size

7鈥欌€?/div>

Tape width

8mm

Quantity

3000 units

餂?001

Fairchild Semiconductor Corporation

FDN306P Rev D (W)

產(chǎn)品培訓模塊
High Voltage Switches for Power Processing
標準包裝
3,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
12V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
2.6A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
40 毫歐 @ 2.6A，4.5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
1.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
17nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1138pF @ 6V
功率 - 最大
460mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商設備封裝
3-SSOT
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
FDN306PTR

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型號

版本

描述

廠商

下載
FDN302

英文版

P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

FAIRCHILD

FDN302
FDN302

英文版

P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

FAIRCHILD ...

FDN302
FDN335

英文版

N-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET

FAIRCHILD

FDN335
FDN335

英文版

N-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET

FAIRCHILD ...

FDN335
FDN336

英文版

Single P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET

FAIRCHILD

FDN336
FDN336

英文版

Single P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET

FAIRCHILD ...

FDN336
FDN338

英文版

P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transist...

FAIRCHILD

FDN338
FDN338

英文版

P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transist...

FAIRCHILD ...

FDN338
FDN340

英文版

Single P-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET

FAIRCHILD

FDN340
FDN340

英文版

Single P-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET

FAIRCHILD ...

FDN340
FDN358

英文版

P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transist...

FAIRCHILD

FDN358
FDN358

英文版

P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transist...

FAIRCHILD ...

FDN358
FDN359

英文版

N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET

FAIRCHILD

FDN359
FDN359

英文版

N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET

FAIRCHILD ...

FDN359
FDN360

英文版

Single P-Channel PowerTrenchTM MOSFET

FAIRCHILD

FDN360
FDN360

英文版

Single P-Channel PowerTrenchTM MOSFET

FAIRCHILD ...

FDN360
FDN361

英文版

N-Channel, Logic Level, PowerTrenchビヌ

FAIRCHILD

FDN361
FDN361

英文版

N-Channel, Logic Level, PowerTrenchビヌ

FAIRCHILD ...

FDN361
FDN302P

英文版

P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

FAIRCHILD

FDN302P
FDN302P

英文版

MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3

FDN302P

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