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FDM3622 Datasheet

  • FDM3622

  • N-Channel PowerTrench MOSFET

  • 11頁

  • FAIRCHILD

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FDM3622 N-Channel PowerTrench
廬
MOSFET
January 2005
FDM3622
N-Channel PowerTrench
廬
MOSFET
100V, 4.4A, 60m鈩?/div>
Features
r
DS(ON)
= 44m鈩?(Typ.), V
GS
= 10V, I
D
= 4.4A
Q
g
(tot) = 13nC (Typ.), V
GS
= 10V
Low Miller Charge
Low Q
RR
Body Diode
Optimized efficiency at high frequencies
UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)
General Description
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild
Semiconductor鈥檚 advanced PowerTrench process that has
been especially tailored to minimize the on-state resistance
and yet maintain low gate charge for superior switching
performance.
Applications
Distributed Power Architectures and VRMs
Primary Switch for 24V and 48V Systems
High Voltage Synchronous Rectifier
Formerly developmental type 82744
1
2
3
4
8
7
6
5
MicroFET 3.3 x 3.3
漏2005 Fairchild Semiconductor Corporation
FDM3622 Rev. A
1
www.fairchildsemi.com

FDM3622 產品屬性

  • High Voltage Switches for Power Processing

  • 3,000

  • 分離式半導體產品

  • FET - 單

  • PowerTrench®

  • MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • 邏輯電平門

  • 100V

  • 4.4A

  • 60 毫歐 @ 4.4A，10V

  • 4V @ 250µA

  • 17nC @ 10V

  • 1090pF @ 25V

  • 900mW

  • 表面貼裝

  • 8-PowerVDFN

  • 8-Power33（3x3）

  • 帶卷 (TR)

  • FDM3622-NDFDM3622TR

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