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FDH3595 Datasheet

  • FDH3595

  • High Conductance Low Leakage Diode

  • 25.87KB

  • 3頁

  • FAIRCHILD

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FDH3595
Discrete POWER & Signal
Technologies
FDH3595
DO-35
High Conductance Low Leakage Diode
Sourced from Process 1M. See MMBD1501-1505 for characteristics.
Absolute Maximum Ratings*
Symbol
W
IV
I
O
I
F
i
f
i
f(surge)
Working Inverse Voltage
Average Rectified Current
DC Forward Current
Recurrent Peak Forward Current
TA = 25擄C unless otherwise noted
Parameter
Value
125
200
500
600
1.0
4.0
-65 to +175
175
Units
V
mA
mA
mA
A
A
擄C
擄C
T
stg
T
J
Peak Forward Surge Current
Pulse width = 1.0 second
Pulse width = 1.0 microsecond
Storage Temperature Range
Operating Junction Temperature
*
These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES:
1)
These ratings are based on a maximum junction temperature of 200 degrees C.
2)
These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Thermal Characteristics
Symbol
P
D
R
胃JA
TA = 25擄C unless otherwise noted
Characteristic
Total Device Dissipation
Derate above 25擄C
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Max
MMBD7000*
500
3.33
300
Units
mW
mW/擄C
擄C/W
茫
1997 Fairchild Semiconductor Corporation

FDH3595 產(chǎn)品屬性

  • 2,000

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • 單二極管/整流器

  • -

  • 標準

  • 125V

  • 200mA

  • 1V @ 200mA

  • 小信號 =

  • -

  • 1nA @ 125V

  • 8pF @ 0V，1MHz

  • 通孔

  • DO-204AH，DO-35，軸向

  • DO-35

  • 散裝

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