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FDG314P Datasheet

  • FDG314P

  • Digital FET, P-Channel

  • 5頁(yè)

  • FAIRCHILD

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FDG314P
July 2000
FDG314P
Digital FET, P-Channel
General Description
This P-Channel enhancement mode field effect
transistor is produced using Fairchild Semiconductor鈥檚
proprietary, high cell density, DMOS technology. This
very high density process is tailored to minimize on-
state resistance at low gate drive conditions. This
device is designed especially for battery power
applications such as notebook computers and cellular
phones. This device has excellent on-state resistance
even at gate drive voltages as low as 2.5 volts.
Features
鈥?/div>
-0.65 A, -25 V. R
DS(ON)
= 1.1
鈩?/div>
@ V
GS
= -4.5 V
R
DS(ON)
= 1.5
鈩?/div>
@ V
GS
= -2.7 V.
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
Very low gate drive requirements allowing direct
operation in 3V cirucuits (V
GS(th)
<1.5 V).
Gate-Source Zener for ESD ruggedness
(>6 kV Human Body Model).
Compact industry standard SC70-6 surface mount
package.
Applications
鈥?/div>
Power Management
鈥?/div>
Load switch
鈥?/div>
Signal switch
D
D
S
1
6
2
5
SC70-6
D
D
G
3
4
Absolute Maximum Ratings
Symbol
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
J
, T
stg
ESD
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Drain Current - Continuous
- Pulsed
T
A
= 25擄C unless otherwise noted
Parameter
Ratings
-25
(Note 1a)
Units
V
V
A
W
擄C
kV
鹵8
-0.65
-1.8
0.75
0.48
-55 to +150
6.0
Power Dissipation for Single Operation
(Note 1a)
(Note 1b)
Operating and Storage Junction Temperature Range
Electrostatic Discharge Rating MIL-STD-883D
Human Body Model (100pf/1500 Ohm)
Thermal Characteristics
R
胃
JA
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
(Note 1b)
260
擄C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
.
14
Device
FDG314P
Reel Size
7鈥欌€?/div>
Tape Width
8mm
Quantity
3000 units
錚?000
Fairchild Semiconductor International
FDG314P Rev.C

FDG314P 產(chǎn)品屬性

  • 3,000

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • FET - 單

  • -

  • MOSFET P 通道，金屬氧化物

  • 邏輯電平門(mén)

  • 25V

  • 650mA

  • 1.1 歐姆 @ 500mA，4.5V

  • 1.5V @ 250µA

  • 1.5nC @ 4.5V

  • 63pF @ 10V

  • 480mW

  • 表面貼裝

  • 6-TSSOP，SC-88，SOT-363

  • SC-70

  • 帶卷 (TR)

FDG314P相關(guān)型號(hào)PDF文件下載

  • 型號(hào)
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
    FAIRCHILD
  • 英文版
    N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
    FAIRCHILD
  • 英文版
    P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
    FAIRCHILD
  • 英文版
    N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    P-Channel 2.5V Specified PowerTrench⑩ MOSFET
    FAIRCHILD
  • 英文版
    MOSFET P-CH 20V 1.2A SC70-6
  • 英文版
    P-Channel 2.5V Specified PowerTrench⑩ MOSFET
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    Digital FET, N-Channel
    FAIRCHILD
  • 英文版
    MOSFET N-CH 25V 0.95A SC70-6
  • 英文版
    Digital FET, N-Channel
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    Digital FET, P-Channel
    FAIRCHILD
  • 英文版
    Digital FET, P-Channel
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
    FAIRCHILD
  • 英文版
    N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
    FAIRCHILD
  • 英文版
    MOSFET P-CH 30V 1.6A SC70-6
  • 英文版
    P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
    FAIRCHILD

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