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FDG312P

February 1999

FDG312P

P-Channel 2.5V Specified PowerTrench鈩?MOSFET

General Description

This P-Channel MOSFET is produced using Fairchild

Semiconductor's advanced PowerTrench process that

has been especially tailored to minimize the on-state

resistance and yet maintain low gate charge for

superior switching performance. These devices are

well suited for portable electronics applications.

Features

鈥?/div>

-1.2 A, -20 V. R

DS(on)

= 0.18

鈩?/div>

@ V

GS

= -4.5 V

R

DS(on)

= 0.25

鈩?/div>

@ V

GS

= -2.5 V.

鈥?/div>

Low gate charge (3.3 nC typical).

High performance trench technology for extremely

low R

DS(ON)

.

Compact industry standard SC70-6 surface mount

package.

Applications

鈥?/div>

Load switch

鈥?/div>

Battery protection

鈥?/div>

Power management

鈥?/div>

D

S

1

6

2

5

SC70-6

D

G

3

4

Absolute Maximum Ratings

Symbol

V

DSS

V

GSS

I

D

P

D

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current

- Continuous

- Pulsed

T

A

= 25擄C unless otherwise noted

Parameter

Ratings

-20

(Note 1)

Units

V

A

W

鹵

8

-1.2

-6

0.75

0.55

0.48

-55 to +150

Power Dissipation for Single Operation

(Note 1a)

(Note 1b)

(Note 1c)

T

J

, T

stg

Operating and Storage Junction Temperature Range

擄

C

Thermal Characteristics

R

胃

JA

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

(Note 1)

260

擄

C/W

Package Outlines and Ordering Information

Device Marking

.

12

Device

FDG312P

Reel Size

7鈥欌€?/div>

Tape Width

8mm

Quantity

3000 units

漏1999

Fairchild Semiconductor Corporation

FDG312P Rev. C

產(chǎn)品培訓(xùn)模塊
High Voltage Switches for Power Processing
標(biāo)準(zhǔn)包裝
3,000
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)
邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓(Vdss)
20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
1.2A
開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
180 毫歐 @ 1.2A，4.5V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）
1.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
5nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
330pF @ 10V
功率 - 最大
480mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供應(yīng)商設(shè)備封裝
SC-70-6
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
FDG312P-NDFDG312PTR

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型號(hào)

版本

描述

廠商

下載
FDG315

英文版

N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET

FAIRCHILD

FDG315
FDG315

英文版

N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET

FAIRCHILD ...

FDG315
FDG326

英文版

P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET

FAIRCHILD

FDG326
FDG326

英文版

P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET

FAIRCHILD ...

FDG326
FDG311N

英文版

N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

FAIRCHILD

FDG311N
FDG311N

英文版

N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

FAIRCHILD ...

FDG311N
FDG312P

英文版

P-Channel 2.5V Specified PowerTrench⑩ MOSFET

FAIRCHILD

FDG312P
FDG312P

英文版

MOSFET P-CH 20V 1.2A SC70-6

FDG312P
FDG312P

英文版

P-Channel 2.5V Specified PowerTrench⑩ MOSFET

FAIRCHILD ...

FDG312P
FDG313N

英文版

Digital FET, N-Channel

FAIRCHILD

FDG313N
FDG313N

英文版

MOSFET N-CH 25V 0.95A SC70-6

FDG313N
FDG313N

英文版

Digital FET, N-Channel

FAIRCHILD ...

FDG313N
FDG314P

英文版

Digital FET, P-Channel

FAIRCHILD

FDG314P
FDG314P

英文版

Digital FET, P-Channel

FAIRCHILD ...

FDG314P
FDG315N

英文版

N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET

FAIRCHILD

FDG315N
FDG315N

英文版

N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET

FAIRCHILD ...

FDG315N
FDG316P

英文版

P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET

FAIRCHILD

FDG316P
FDG316P

英文版

MOSFET P-CH 30V 1.6A SC70-6

FDG316P
FDG316P

英文版

P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET

FAIRCHILD ...

FDG316P
FDG326P

英文版

P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET

FAIRCHILD

FDG326P

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