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FDD8870 Datasheet

  • FDD8870

  • N-Channel PowerTrench MOSFET

  • 11頁

  • FAIRCHILD

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FDD8870 / FDU8870
September 2004
FDD8870 / FDU8870
N-Channel PowerTrench
廬
MOSFET
30V, 160A, 3.9m
鈩?/div>
General Description
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to
improve the overall efficiency of DC/DC converters using
either synchronous or conventional switching PWM
controllers. It has been optimized for low gate charge, low
r
DS(ON)
and fast switching speed.
Features
鈥?r
DS(ON)
= 3.9m鈩? V
GS
= 10 V, I
D
= 35A
鈥?r
DS(ON)
= 4.4m鈩? V
GS
= 4.5V, I
D
= 35A
鈥?High performance trench technology for extremely low
r
DS(ON)
鈥?Low gate charge
Applications
鈥?DC/DC converters
鈥?High power and current handling capability
D
G
S
I-PAK
(TO-251AA)
G D S
G
D
D-PAK
TO-252
(TO-252)
S
MOSFET Maximum Ratings
T
C
= 25擄C unless otherwise noted
Symbol
V
DSS
V
GS
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Drain Current
Continuous (T
C
= 25
o
C, V
GS
= 10V) (Note 1)
I
D
Continuous (T
C
=
Pulsed
E
AS
P
D
T
J
, T
STG
Single Pulse Avalanche Energy (Note 2)
Power dissipation
Derate above 25 C
Operating and Storage Temperature
o
Parameter
Ratings
30
鹵20
160
150
52
o
C/W)
21
Figure 4
690
160
1.07
-55 to 175
Units
V
V
A
A
A
A
mJ
W
W/
o
C
o
C
25
o
C, V
Continuous (T
amb
=
GS
= 4.5V) (Note
o
C, V
25
GS
= 10 V, with
1)
R
胃
JA
=
Thermal Characteristics
R
胃
JC
R
胃
JA
R
胃
JA
Thermal Resistance Junction to Case TO-252, TO-251
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-252, TO-251
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-252,
1in
2
copper pad area
0.94
100
52
o
C/W
o
C/W
o
C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
FDD8870
FDU8870
Device
FDD8870
FDU8870
Package
TO-252AA
TO-251AA
Reel Size
13鈥?/div>
Tube
Tape Width
12mm
N/A
Quantity
2500 units
75 units
漏2004 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD8870 / FDU8870 Rev. C

FDD8870 產(chǎn)品屬性

  • High Voltage Switches for Power Processing

  • 2,500

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • FET - 單

  • PowerTrench®

  • MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • 標(biāo)準(zhǔn)型

  • 30V

  • 160A

  • 3.9 毫歐 @ 35A，10V

  • 2.5V @ 250µA

  • 118nC @ 10V

  • 5160pF @ 15V

  • 160W

  • 表面貼裝

  • TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

  • D-Pak

  • 帶卷 (TR)

  • FDD8870-NDFDD8870FSTR

FDD8870相關(guān)型號(hào)PDF文件下載

  • 型號(hào)
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 40V, 50A, 5.2mOhm
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    MOSFET N-CH 40V 70A DPAK
  • 英文版
    N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 40V, 50A, 8.7mOhm
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    N-Channel PowerTrench MOSFET 40V, 28A, 24mOHM
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    N-Channel PowerTrench MOSFET 20V, 35A, 9mohm
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    N-Channel PowerTrench MOSFET 20V, 35A, 5.5mOHM
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    N-Channel PowerTrench MOSFET 25V, 2.7A, 40mohm
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    N-Channel PowerTrench MOSFET 25V, 35A, 4.0mOHM
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    MOSFET N-CH 25V 35A DPAK
  • 英文版
    N-Channel PowerTrench MOSFET 25V, 35A, 14mohm
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    FDD8780_Fairchild Semiconductor.pdf
    Fairchild Semiconductor
  • 英文版
    MOSFET N-CH 25V 35A DPAK
  • 英文版
    N-Channel PowerTrench MOSFET
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    MOSFET N-CH 25V 35A DPAK
  • 英文版
    N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 25V, 35A, 5.7mOhm
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    N-Channel PowerTrench MOSFET
    FAIRCHILD
  • 英文版
    MOSFET N-CH 30V 160A D-PAK
  • 英文版
    N-Channel PowerTrench MOSFET
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 116A
    FAIRCHILD
  • 英文版
    MOSFET N-CH 30V 116A D-PAK

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