FDC654P Datasheet

IC型號(hào)：
FDC654P
PDF描述：
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
文件大小：
77.21KB
PDF頁數(shù)：
4頁
芯片廠家：
FAIRCHILD

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March 1998

FDC654P

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description

These P-Channel logic level enhancement mode power field

effect transistors are produced using Fairchild's proprietary,

high cell density, DMOS technology. This very high density

process is especially tailored to minimize on-state

resistance. These devices are particularly suited for low

voltage applications such as cellular phone and notebook

computer power management and other battery powered

circuits where high-side switching, and low in-line power

loss are needed in a very small outline surface mount

package.

Features

-3.6 A, -30 V. R

DS(ON)

= 0.075

鈩?/div>

@ V

= -10 V

DS(ON)

= 0.125

鈩?/div>

@ V

= -4.5 V.

SuperSOT

-6 package design using copper lead frame for

superior thermal and electrical capabilities.

High density cell design for extremely low R

DS(ON)

Exceptional on-resistance and maximum DC current capability.

SOT-23

SuperSOT -6

SuperSOT

-8

SO-8

SOT-223

SOIC-16

.65

SuperSOT

-6

Absolute Maximum Ratings

= 25擄C unless otherwise note

Symbol Parameter

DSS

GSS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage - Continuous

Drain Current - Continuous

- Pulsed

Maximum Power Dissipation

(Note 1a)

(Note 1b)

(Note 1a)

FDC654P

-30

鹵20

-3.6

-10

1.6

0.8

-55 to 150

Units

STG

胃JA

胃JC

Operating and Storage Temperature Range

擄C

THERMAL CHARACTERISTICS

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

Thermal Resistance, Junction-to-Case

(Note 1a)

(Note 1)

擄C/W

漏 1998 Fairchild Semiconductor Corporation

FDC654P Rev.C

標(biāo)準(zhǔn)包裝
3,000
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
3.6A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
75 毫歐 @ 3.6A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）
3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
9nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
298pF @ 15V
功率 - 最大
800mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6
供應(yīng)商設(shè)備封裝
6-SSOT
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
FDC654P-NDFDC654PTR

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型號(hào)

版本

描述

廠商

下載
FDC60

英文版

60 WATTS OUTPUT POWER

ETC

FDC60
FDC60

英文版

60 WATTS OUTPUT POWER

ETC [ETC]

FDC60
FDC602

英文版

P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

FAIRCHILD

FDC602
FDC602

英文版

P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

FAIRCHILD ...

FDC602
FDC604

英文版

P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET

FAIRCHILD

FDC604
FDC604

英文版

P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET

FAIRCHILD ...

FDC604
FDC634

英文版

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FAIRCHILD

FDC634
FDC634

英文版

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FAIRCHILD ...

FDC634
FDC638

英文版

P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET

FAIRCHILD

FDC638
FDC638

英文版

P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET

FAIRCHILD ...

FDC638
FDC642

英文版

P-Channel 2.5V Specified PowerTrench⑩MOSFET

FAIRCHILD

FDC642
FDC642

英文版

P-Channel 2.5V Specified PowerTrench⑩MOSFET

FAIRCHILD ...

FDC642
FDC645

英文版

N-Channel PowerTrench MOSFET

FAIRCHILD

FDC645
FDC645

英文版

N-Channel PowerTrench MOSFET

FAIRCHILD ...

FDC645
FDC653

英文版

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FAIRCHILD

FDC653
FDC653

英文版

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FAIRCHILD ...

FDC653
FDC602P

英文版

P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

FAIRCHILD

FDC602P
FDC602P

英文版

P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

FAIRCHILD ...

FDC602P
FDC604P

英文版

P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET

FAIRCHILD

FDC604P
FDC604P

英文版

P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET

FAIRCHILD ...

FDC604P

FDC654P Datasheet

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