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FDC640P

August 2000

FDC640P

P-Channel 2.5V Specified PowerTrench

TM

MOSFET

General Description

This P-Channel 2.5V specified MOSFET is produced in

a rugged gate version of Fairchild Semiconductor's

advanced PowerTrench process. It has been optimized

for power management applications for a wide range

of gate drive voltages.

Features

鈥?/div>

-4.5 A, -20 V. R

DS(ON)

= 0.050

鈩?/div>

@ V

GS

= -4.5 V

R

DS(ON)

= 0.077

鈩?/div>

@ V

GS

= -2.5 V

鈥?/div>

Rugged gate rating (

鹵

12V).

High performance trench technology for extremely

low R

DS(ON)

.

SuperSOT

TM

-6 package: small footprint (72% smaller

than standard SO-8); low profile (1mm thick).

Applications

鈥?/div>

Load switch

鈥?/div>

Battery protection

鈥?/div>

Power management

D

S

1

6

2

5

SuperSOT

TM

-6

D

G

3

4

Absolute Maximum Ratings

Symbol

V

DSS

V

GSS

I

D

P

D

T

J

, T

stg

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current

- Continuous

- Pulsed

T

A

= 25擄C unless otherwise noted

Parameter

Ratings

-20

(Note 1a)

Units

V

A

W

擄

C

鹵

12

-4.5

-20

1.6

0.8

-55 to +150

Power Dissipation for Single Operation

(Note 1a)

(Note 1b)

Operating and Storage Junction Temperature Range

Thermal Characteristics

R

胃

JA

R

胃

JC

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

Thermal Resistance, Junction-to-Case

(Note 1a)

(Note 1)

78

30

擄

C/W

擄

C/W

Package Outlines and Ordering Information

Device Marking

.640

錚?000

Fairchild Semiconductor International

Device

FDC640P

Reel Size

7鈥欌€?/div>

Tape Width

8mm

Quantity

3000 units

FDC640P, Rev.C

產品培訓模塊
High Voltage Switches for Power Processing
標準包裝
3,000
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
4.5A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
53 毫歐 @ 4.5A，4.5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
1.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
13nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
890pF @ 10V
功率 - 最大
800mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
SOT-23-6 細型，TSOT-23-6
供應商設備封裝
6-SSOT
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
FDC640P-ND

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型號

版本

描述

廠商

下載
FDC60

英文版

60 WATTS OUTPUT POWER

ETC

FDC60
FDC60

英文版

60 WATTS OUTPUT POWER

ETC [ETC]

FDC60
FDC602

英文版

P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

FAIRCHILD

FDC602
FDC602

英文版

P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

FAIRCHILD ...

FDC602
FDC604

英文版

P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET

FAIRCHILD

FDC604
FDC604

英文版

P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET

FAIRCHILD ...

FDC604
FDC634

英文版

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FAIRCHILD

FDC634
FDC634

英文版

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FAIRCHILD ...

FDC634
FDC638

英文版

P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET

FAIRCHILD

FDC638
FDC638

英文版

P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET

FAIRCHILD ...

FDC638
FDC642

英文版

P-Channel 2.5V Specified PowerTrench⑩MOSFET

FAIRCHILD

FDC642
FDC642

英文版

P-Channel 2.5V Specified PowerTrench⑩MOSFET

FAIRCHILD ...

FDC642
FDC645

英文版

N-Channel PowerTrench MOSFET

FAIRCHILD

FDC645
FDC645

英文版

N-Channel PowerTrench MOSFET

FAIRCHILD ...

FDC645
FDC653

英文版

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FAIRCHILD

FDC653
FDC653

英文版

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FAIRCHILD ...

FDC653
FDC602P

英文版

P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

FAIRCHILD

FDC602P
FDC602P

英文版

P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

FAIRCHILD ...

FDC602P
FDC604P

英文版

P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET

FAIRCHILD

FDC604P
FDC604P

英文版

P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET

FAIRCHILD ...

FDC604P

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