FDC6392S Datasheet

IC型號(hào)：
FDC6392S
PDF描述：
20V Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Dio...
文件大?。?/label>
193.83KB
PDF頁數(shù)：
6頁
芯片廠家：
FAIRCHILD

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FDC6392S

April 2002

FDC6392S

20V Integrated P-Channel PowerTrench

餂?/div>

MOSFET and Schottky Diode

General Description

The FDC6392S combines the exceptional performance

of Fairchild's PowerTrench MOSFET technology with a

very low forward voltage drop Schottky barrier rectifier

in an SSOT-6 package.

This device is designed specifically as a single package

solution for DC to DC converters. It features a fast

switching, low gate charge MOSFET with very low on-

state resistance.

The independently connected

Schottky diode allows its use in a variety of DC/DC

converter topologies.

Features

MOSFET:

鈥?/div>

鈥?.2 A, 鈥?0V. R

DS(ON)

= 150 m鈩?@ V

= 鈥?.5V

DS(ON)

= 200 m鈩?@ V

= 鈥?.5V

鈥?/div>

Low Gate Charge (3.7nC typ)

鈥?/div>

Compact industry standard SuperSOT

餂?/div>

-6 package

Schottky:

鈥?/div>

VF < 0.45 V @ 1 A

SuperSOT

-6

Pin 1

SuperSOT鈩?6

Absolute Maximum Ratings

Symbol

DSS

GSS

MOSFET Drain-Source Voltage

MOSFET Gate-Source Voltage

Drain Current

鈥?Continuous

鈥?Pulsed

=25

C unless otherwise noted

Parameter

Ratings

鈥?0

鹵12

(Note 1a)

Units

鈥?.2

鈥?

0.96

0.9

0.7

鈥?5 to +150

Power Dissipation for Single Operation

(Note 1a)

(Note 1b)

(Note 1c)

, T

STG

RRM

Operating and Storage Junction Temperature Range

Schottky Repetitive Peak Reverse Voltage

Schottky Average Forward Current

(Note 1a)

擄C

Thermal Characteristics

胃JA

胃JC

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

Thermal Resistance, Junction-to-Case

(Note 1a)

(Note 1)

130

擄C/W

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

.392

Device

FDC6392S

Reel Size

7鈥欌€?/div>

Tape width

8mm

Quantity

3000 units

餂?002

Fairchild Semiconductor Corporation

FDC6392S Rev C(W)

產(chǎn)品培訓(xùn)模塊
High Voltage Switches for Power Processing
標(biāo)準(zhǔn)包裝
3,000
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)
二極管（隔離式）
漏極至源極電壓(Vdss)
20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
2.2A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
150 毫歐 @ 2.2A，4.5V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）
1.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
5.2nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
369pF @ 10V
功率 - 最大
700mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6
供應(yīng)商設(shè)備封裝
6-SSOT
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
FDC6392STRFDC6392S_NLFDC6392S_NLTRFDC6392S_NLTR-ND

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型號(hào)

版本

描述

廠商

下載
FDC60

英文版

60 WATTS OUTPUT POWER

ETC

FDC60
FDC60

英文版

60 WATTS OUTPUT POWER

ETC [ETC]

FDC60
FDC602

英文版

P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

FAIRCHILD

FDC602
FDC602

英文版

P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

FAIRCHILD ...

FDC602
FDC604

英文版

P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET

FAIRCHILD

FDC604
FDC604

英文版

P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET

FAIRCHILD ...

FDC604
FDC634

英文版

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FAIRCHILD

FDC634
FDC634

英文版

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FAIRCHILD ...

FDC634
FDC638

英文版

P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET

FAIRCHILD

FDC638
FDC638

英文版

P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET

FAIRCHILD ...

FDC638
FDC642

英文版

P-Channel 2.5V Specified PowerTrench⑩MOSFET

FAIRCHILD

FDC642
FDC642

英文版

P-Channel 2.5V Specified PowerTrench⑩MOSFET

FAIRCHILD ...

FDC642
FDC645

英文版

N-Channel PowerTrench MOSFET

FAIRCHILD

FDC645
FDC645

英文版

N-Channel PowerTrench MOSFET

FAIRCHILD ...

FDC645
FDC653

英文版

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FAIRCHILD

FDC653
FDC653

英文版

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FAIRCHILD ...

FDC653
FDC602P

英文版

P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

FAIRCHILD

FDC602P
FDC602P

英文版

P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

FAIRCHILD ...

FDC602P
FDC604P

英文版

P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET

FAIRCHILD

FDC604P
FDC604P

英文版

P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET

FAIRCHILD ...

FDC604P

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