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FDC6302P Datasheet

  • FDC6302P

  • Digital FET, Dual P-Channel

  • 79.23KB

  • 4頁(yè)

  • FAIRCHILD

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October 1997
FDC6302P
Digital FET, Dual P-Channel
General Description
These Dual P-Channel logic level enhancement mode field effect
transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell
density, DMOS technology. This very high density process is
especially tailored to minimize on-state resistance. This device
has been designed especially for low voltage applications as a
replacement for digital transistors in load switchimg applications.
Since bias resistors are not required this one P-Channel FET
can replace several digital transistors with different bias resistors
like the IMBxA series.
Features
-25 V, -0.12 A continuous, -0.5 A Peak.
R
DS(ON)
= 13
鈩?/div>
@ V
GS
= -2.7 V
R
DS(ON)
= 10
鈩?/div>
@ V
GS
= -4.5 V.
Very low level gate drive requirements allowing direct
operation in 3V circuits. V
GS(th)
< 1.5V.
Gate-Source Zener for ESD ruggedness.
>6kV Human Body Model
Replace multiple PNP digital transistors (IMHxA series) with
one DMOS FET.
SOT-23
SuperSOT -6
TM
SuperSOT -8
TM
SO-8
SOT-223
SOIC-16
4
3
5
2
6
1
Absolute Maximum Ratings
Symbol
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
J
,T
STG
ESD
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Drain Current
T
A
= 25
o
C unless other wise noted
FDC6302P
-25
-8
Units
V
V
A
- Continuous
- Pulsed
-0.12
-0.5
(Note 1a)
(Note 1b)
Maximum Power Dissipation
0.9
0.7
-55 to 150
6.0
W
Operating and Storage Temperature Range
Electrostatic Discharge Rating MIL-STD-883D
Human Body Model (100pf / 1500 Ohm)
擄C
kV
THERMAL CHARACTERISTICS
R
胃
JA
R
胃
JC
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Thermal Resistance, Junction-to-Case
(Note 1a)
(Note 1)
140
60
擄C/W
擄C/W
FDC6302P Rev.C
漏 1997 Fairchild Semiconductor Corporation

FDC6302P 產(chǎn)品屬性

  • High Voltage Switches for Power Processing

  • 3,000

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • FET - 陣列

  • -

  • 2 個(gè) P 溝道（雙）

  • 邏輯電平門

  • 25V

  • 120mA

  • 10 歐姆 @ 200mA，4.5V

  • 1.5V @ 250µA

  • 0.31nC @ 4.5V

  • 11pF @ 10V

  • 700mW

  • 表面貼裝

  • SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6

  • 6-SSOT

  • 帶卷 (TR)

  • FDC6302P-NDFDC6302PTR

FDC6302P相關(guān)型號(hào)PDF文件下載

  • 型號(hào)
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    60 WATTS OUTPUT POWER
    ETC
  • 英文版
    60 WATTS OUTPUT POWER
    ETC [ETC]
  • 英文版
    P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
    FAIRCHILD
  • 英文版
    P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
    FAIRCHILD
  • 英文版
    P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
    FAIRCHILD
  • 英文版
    P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET
    FAIRCHILD
  • 英文版
    P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    P-Channel 2.5V Specified PowerTrench⑩MOSFET
    FAIRCHILD
  • 英文版
    P-Channel 2.5V Specified PowerTrench⑩MOSFET
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    N-Channel PowerTrench MOSFET
    FAIRCHILD
  • 英文版
    N-Channel PowerTrench MOSFET
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
    FAIRCHILD
  • 英文版
    N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
    FAIRCHILD
  • 英文版
    P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
    FAIRCHILD
  • 英文版
    P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
    FAIRCHILD ...

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